【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造方法及设备，具体地，涉及在半导体器件中的电介质材料的蚀刻方法，尤其是涉及一种双极晶体管的低缺陷预发射极和预基极的氧化物蚀刻方法及相关设备。并且更具体地说，涉及预发射极和预基极中的二氧化硅的蚀刻方法。
技术介绍
Jeng等人的美国专利No.5,282,925“Device and Method for AccurateEtching and Removal of Thin Film”(共同受让)描述了作为化学氧化物去除(Chemical Oxide Removal，COR)所公知的一种器件和方法，通过控制含有反应物的膜的表面滞留时间、厚度和成分，用于薄层的精确蚀刻和去除。COR工艺使用包括HF和NH3的气体反应物的蚀刻。由于气体反应物接触氧化硅表面，在接近蒸气压的压力下，通过在氧化硅表面上反应气体的吸附和凝结，在氧化硅上形成反应产物的膜。通常，Jeng等人的工艺通过让反应气体进入室内以在晶片上形成膜，从晶片上蚀刻氧化硅。通过控制膜以及室内温度来调整蚀刻。当蚀刻结束后，通过热解吸作用能除去产生的剩余物。Ramachandran等人的美国...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体制造方法，包括如下步骤形成穿过原硅酸四乙酯(TEOS)玻璃层和其下的中间层的开口，该开口向下延伸到含硅材料的露出表面以及该开口暴露包括该TEOS玻璃层和该中间层的侧壁的该开口的侧壁；在该开口的侧壁上形成覆盖该TEOS玻璃层和该中间层的侧壁的侧壁间隔壁；以及用化学氧化物去除(COR)工艺选择性地蚀刻该含硅材料，留下该TEOS层保持在原位以保护该中间层。2.根据权利要求1的方法，其中该含硅材料包括高压氧化物(HIPOX)材料。3.根据权利要求1的方法，其中在该选择性蚀刻步骤期间，该TEOS层的一部分转变成固态反应产物以及该含硅材料的露出部分转变成固态反应产物。4.根据权利要求1的方法，其中该选择性蚀刻步骤包括如下步骤在包括该TEOS层和该含硅材料的那些露出表面的上方形成HF和NH3的毯覆式吸附反应物膜；以及然后将该TEOS层的一部分转变成固态反应产物，其中该TEOS层的一部分和该含硅材料的露出部分转变成固态反应产物。5.根据权利要求3的方法，其中该蚀刻方法包括导入COR气体以在该含硅材料、侧壁间隔壁和该TEOS层的露出表面上形成HF和NH3的吸附反应物膜；在该吸附反应物膜的下方形成该固态反应产物；终止该COR气体进入到真空室中；以及加热以从该真空室中除去该固态反应产物。6.根据权利要求1的方法，其中该含硅材料的选择性蚀刻步骤在密闭的反应室中进行。7.根据权利要求1的方法，其中该COR工艺使用HF和氨NH3蒸气的混合物。8.根据权利要求1的方法，其中该蚀刻工艺包括通过打开通向COR反应气体源的阀使COR反应气体进入该密闭反应室中，在该密闭反应室中在大致上10毫乇或更低的低压下进行所述在该吸附反应物膜的下方形成固态反应产物的步骤；通过关闭通向COR反应气体源的阀终止该COR气体进入到该密闭反应室中；以及加热以从该密闭反应室中除去该固态反应产物。9.根据权利要求8的方法，其中该COR工艺使用HF和NH3蒸气的混合物。10.根据权利要求8的方法，其中在除去该反应产物之后在该开口中形成发射极，将从由硅烷和二氯硅烷构成的组中选择的发射极形成气体引入包括在超过发射极形成气体的分解温度下被加热的工件的室中来进行该步骤。11.一种半导体制造方法，包括如下步骤形成穿过第一氧化硅材料和其下方的中间层的开口，该开口向下延伸到第二氧化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：韦斯利·C·纳茨尔，戴维·C·阿尔格伦，史蒂文·G·巴比，马克·W·坎泰尔，巴桑思·贾根内森，路易斯·D·兰泽罗蒂，塞夏尔蒂·萨班纳，瑞安·W·伍特里奇，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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