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一种半导体制造方法，包括如下步骤：　　　　形成穿过原硅酸四乙酯（ＴＥＯＳ）玻璃层和其下的中间层的开口，该开口向下延伸到含硅材料的露出表面以及该开口暴露包括该ＴＥＯＳ玻璃层和该中间层的侧壁的该开口的侧壁；　　　　在该开口的侧壁上形成覆盖该ＴＥ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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