【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及半导体器件领域，尤其涉及双极晶体管领域。
技术介绍
如图1所示，传统的垂直npn型(n-型发射极，p-型基极，n-型集电极)双极晶体管按图中简要所示，在集电极(C)104下方有一个重掺杂的埋置子集电极。子集电极层102是相当厚的，通常大约2000纳米(nm)，用以将集电极串联电阻降到最小。为确保子集电极有效地减少集电极串联电阻，有一个集电极透过区域106，它提供了在子集电极层102和位于硅表层顶端的集电极接触电极108之间的低电阻连接。这个集电极透过区域106一般是与集电极和子集电极相同类型的重掺杂的半导体区。对于参考图1所示的垂直npn型双极晶体管，还图示了一个n+透过区域。晶体管100还包括一个在集电极104上的基极层110和位于基极110上的发射极112。有一个空间电荷区域，又叫耗尽区104，与形成于基极110和集电极114之间的p/n二极管相关。在一个典型的双极晶体管中，这个耗尽区主要由基极集电极二极管的较轻掺杂的集电极构成。因此，这个集电极104由空间电荷区域114和准中性区域118组成。子集电极102位于一个p型的衬底116上。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一个双极晶体管，包含有一个导电区，作为用于接受偏压的背面电极；一个绝缘层，在该背面电极上；在该绝缘层上的第一半导体层，包含有一个集电极，包括在该绝缘层上的第一导电类型的一个掺杂区；和一个透过区，包含有第一导电类型的重掺杂区，与该掺杂区交界，该透过区位于绝缘层和集电极接点电极之间；一个基极，包含有第二导电类型的半导体区，位于第一层的掺杂区的上面；一个发射极，包含有第一导电类型的第三半导体区，位于该基极上；和一个第一导电类型的累积层，由背面电极接收的偏压形成。2.如权利要求1所述的双极晶体管，其中所述基极和所述第一半导体层的掺杂区形成一个二极管，该二极管有一个比第一半导体层的掺杂区的厚度要薄的空间电荷区。3.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述基极和所述第一半导体层的掺杂区形成一个二极管，该二极管有一个比第一半导体层的掺杂区域厚度还要厚的空间电荷区。4.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为n型，第二导电类型为p型，背面电极接收零或正值电压。5.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述第一导电类型是p型，第二导电类型是n型，背面电极接收零或负值电压。6.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述第一半导体层的厚度在20至2000纳米的范围内。7.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述基极包括硅锗合金。8.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述基极包括硅锗碳合金。9.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，作为背面电极的所述导电区包括掺杂的半导体区。10.如权利要求...
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