半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种减小发射极层的宽度、高性能的半导体装置。该半导体装置包括：集电极层（２），其形成在半导体基板（１）之上；含有硅的导电层（４），其形成在集电极层之上；硅膜（５），其形成在导电层（４）之上；发射极电极（７ａ），其形成在硅膜（５）之上；侧面膜（９），其覆盖发射极电极（７ａ）的侧面，所述发射极电极（７ａ）的底面高于侧面膜的下表面，所述硅膜的所述第２区域（５）的至少一部分位于导电层（４）与侧面膜（９）之间；杂质区域（１０），其与所述导电层相邻形成；和硅化物膜（８ｂ），其跨越所述第２区域（５）的所述侧面、导电层（４）的所述侧面和杂质区域（１０）的所述表面形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
携带电话、PDA、DVC、以及称为DSC的便携式电子设备越来越向高功能化发展。在应对小型及重量轻的便携式电子设备的要求中，需要高集成的系统LSI。作为实现高集成的系统LSI的模块的例子，有高频双极晶体管。为了将高频双极晶体管的高性能化作为目标，提出了包含由硅锗(SiGe)合金构成的基极层的异质结双极晶体管。特开平4-179235号公报公开了现有的双极晶体管的制造。参照图13和图14，说明现有的SiGe基极异质结双极晶体管。在图13中，n+型集电极埋入层101形成在p-型硅基板(未图示)上。在n+型集电极埋入层101之上，形成具有集电极层功能的n-型层(外延层)102。n-型层102通过蚀刻，剩余作为集电极层和集电极取出层的必要的部分，其他则被除去。元件分离区域包含具有被覆盖了氧化膜103的表面的沟槽、以及埋入在该沟槽中的多晶硅膜104。在进行了集电极形成和元件分离区域形成的基板的表面上，形成平坦的氧化膜(埋入氧化膜)105。在氧化膜105之上，形成具有内部基极层功能的p型SiGe层(SiGe合金层)106。在SiGe合金层106之上依次外延生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板（１）；集电极层（２），其形成在所述半导体基板（１）之上；含有硅的导电层（４），其形成在所述集电极层之上，具有侧面；硅膜（５），其形成在所述导电层（４）之上，包括具 有发射极层功能的第１区域（６）、以及包括侧面的第２区域（５）；发射极电极（７ａ），其形成在所述硅膜（５）之上，具有侧面、以及与所述硅膜的所述第１区域（６）相接触的底面（５０）；侧面膜（９），其覆盖所述发射极电极（７ａ）的所述 侧面，具有下表面（６０），所述发射极电极（７ａ）的所述底面（５０）与所述...

【技术特征摘要】
JP 2004-9-29 2004-283183;JP 2005-8-31 2005-2507011.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板(1)；集电极层(2)，其形成在所述半导体基板(1)之上；含有硅的导电层(4)，其形成在所述集电极层之上，具有侧面；硅膜(5)，其形成在所述导电层(4)之上，包括具有发射极层功能的第1区域(6)、以及包括侧面的第2区域(5)；发射极电极(7a)，其形成在所述硅膜(5)之上，具有侧面、以及与所述硅膜的所述第1区域(6)相接触的底面(50)；侧面膜(9)，其覆盖所述发射极电极(7a)的所述侧面，具有下表面(60)，所述发射极电极(7a)的所述底面(50)与所述基板之间比所述侧面膜的所述下表面(60)与所述基板之间更分离，所述硅膜的所述第2区域(5)的至少一部分位于所述导电层(4)与所述侧面膜(9)之间，与所述导电层(4)和所述侧面膜(9)两者相接触；含有硅的杂质区域(10)，其与所述导电层相邻形成，具有表面，并具有外部基极层功能；以及硅化物膜(8b)，其跨越所述第2区域(5)的所述侧面、所述导电层(4)的所述侧面和所述杂质区域(10)的所述表面而形成。2.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，所述第1区域(6)，通过从所述发射极电极(7a)至所述硅膜(5)的杂质的热扩散而形成。3.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，所述杂质区域(10)的所述表面包括与所述半导体基板平行的上表面，所述第2区域(5)的所述侧面及所述导电层(4)的所述侧面相对所述杂质区域(10)的所述上表面垂直，所述硅化物膜(8b)包括覆盖所述杂质区域(10)的所述上表面的水平部；和覆盖所述第2区域(5)的所述侧面及所述导电层(4)的所述侧面，相对所述水平部垂直的垂直部(80)。4.如权利要求3的半导体装置，其特征在于，所述导电层(4)及所述硅膜(5)具有沿与所述半导体基板平行的面测量的外部尺寸，所述导电层的所述外部尺寸与所述硅膜(5)的所述外部尺寸相同。5.如权利要求3的半导体装置，其特征在于，所述侧面膜(9)的所述下表面(60)与所述硅膜的所述第1区域、所述第2区域及所述垂直部(80)的上端相接触。6.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，所述侧面膜(9)的所述下表面(60)与所述硅膜的所述第1区域(6)和所述第2区域(5)两方相接触。7.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，所述第1区域(6)位于所述硅膜(5)的中央，所述第2区域包括位于所述第1区域(6)之下的下部、以及包围所述第1区域(6)的外缘的边缘部，所述第2区域的所述侧面是所述边缘部的外缘，所述发射极电极(7a)具有沿与所述半导体基板平行的面测量的第1宽度(We1)，所述侧面膜(9)是沿所述发射极电极(7a)的所述侧面延伸的筒状的侧壁(9)，所述侧壁具有沿与所述半导体基板平行的面测量的第2宽度(9的直径。与图14的We2相同)，所述第1区域(6)包括下表面，该下表面具有沿与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤浩一，井原良和，小出辰彦，须磨大地，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]