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本发明提供一种减小发射极层的宽度、高性能的半导体装置。该半导体装置包括：集电极层（２），其形成在半导体基板（１）之上；含有硅的导电层（４），其形成在集电极层之上；硅膜（５），其形成在导电层（４）之上；发射极电极（７ａ），其形成在硅膜（５）之...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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