【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储器件，特别涉及一种只读存储器(Read OnlyMemory，ROM)及其制作方法。此外，本专利技术还提供一种将单层多晶硅一次写入存储器(single-poly one-time programming memory)，不需经过重新设计，即可转换制作成非易失性只读存储器的方法。
技术介绍
只读存储器(ROM)是一种用来长期储存数据或程序的半导体存储元件，特别是应用在需要预先将程序以非易失方式烧录在其中的电子设备上，例如冷气、电扇、或汽车的微控单元(micro-controller unit，MCU)。对于现有的只读存储器装置，程序的写入是以二进制编码(binary code)或所谓的只读码(ROM code)利用离子注入方式将存储器阵列中的晶体管选择性地改变其启始电压值，使其分别代表0与1的数据。这种需要以一程序码掩模进行离子注入的程序写入的存储器装置又称为掩模式只读存储器(mask ROM)。一般，半导体只读存储器是将数据储存于以阵列排列的存储单元中，而每一存储单元为单一晶体管所构成。然而，在某些情况下，双晶体管的只读存储器却有其...
【技术保护点】
一种只读存储器单元，包括有：一Ｐ型衬底；一Ｎ型阱，设于该Ｐ型衬底中；一ＰＭＯＳ选择晶体管，形成于该Ｎ型阱上，该ＰＭＯＳ选择晶体管包括有一选择栅极，电连接一字线，一第一Ｐ↑［＋］源极掺杂区，电连接一源极线，以及一第一Ｐ↑［＋］漏极掺杂区；以及一ＰＭＯＳ浮置栅极晶体管，形成于该Ｎ型阱上，并串接该ＰＭＯＳ选择晶体管，该ＰＭＯＳ浮置栅极晶体管包括有一浮置栅、一电连接该第一Ｐ↑［＋］漏极掺杂区的第二Ｐ↑［＋］源极掺杂区，以及一第二Ｐ↑［＋］漏极掺杂区，电连接一位线，且该第二Ｐ↑［＋］源极掺杂区以及该第二Ｐ↑［＋］漏极掺杂区定义一浮置栅极Ｐ型沟道；其中当该只读存储器单元需写入逻辑数据“...
【技术特征摘要】
1.一种只读存储器单元，包括有一P型衬底；一N型阱，设于该P型衬底中；一PMOS选择晶体管，形成于该N型阱上，该PMOS选择晶体管包括有一选择栅极，电连接一字线，一第一P+源极掺杂区，电连接一源极线，以及一第一P+漏极掺杂区；以及一PMOS浮置栅极晶体管，形成于该N型阱上，并串接该PMOS选择晶体管，该PMOS浮置栅极晶体管包括有一浮置栅、一电连接该第一P+漏极掺杂区的第二P+源极掺杂区，以及一第二P+漏极掺杂区，电连接一位线，且该第二P+源极掺杂区以及该第二P+漏极掺杂区定义一浮置栅极P型沟道；其中当该只读存储器单元需写入逻辑数据“1”时，P型杂质被注入该浮置栅极P型沟道，使该PMOS浮置栅极晶体管成为耗尽模式操作。2.如权利要求1所述的只读存储器单元，其中注入该P型杂质的浓度约介于1016～1018cm-3左右。3.如权利要求1所述的只读存储器单元，其中该P型杂质为硼。4.一种只读存储器单元，包括有一MOS选择晶体管，包括有一选择栅极，电连接一字线，一第一源极掺杂区，电连接一源极线，以及一第一漏极掺杂区；以及一MOS浮置栅极晶体管，串接该MOS选择晶体管，该MOS浮置栅极晶体管包括有一浮置栅、一第二源极掺杂区电连接该第一漏极掺杂区，以及一第二漏极掺杂区，电连接一位线，且该第二源极掺杂区以及该第二漏极掺杂区定义一浮置栅极沟道。5.如权利要求4所述的只读存储器单元，其中该只读存储器单元是一掩模式只读存储器。6.如权利要求4所述的只读存储器单元，其中当该只读存储器单元需写入逻辑数据“1”时，杂质被注入该浮置栅极沟道，使该MOS浮置栅极晶体管成为耗尽模式操作。7.如权利要求6所述的只读存储器单元，其中注入该杂质的浓度约介于1016～1018cm-3。8.如权利要求4所述的只读存储器单元，其中该MOS选择...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐清祥，翁伟哲，沈士杰，陈信铭，黄士展，何明洲，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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