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本发明公开了一种只读存储器及其制造方法，其可与标准逻辑工艺兼容，包括彼此串接的第一和第二ＰＭＯＳ晶体管，以储存二进制编码数据。该第一、第二ＰＭＯＳ晶体管形成于Ｐ型衬底的Ｎ型阱上。该第一ＰＭＯＳ选择晶体管包括电连接字线的选择栅极，电连接源极线...
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