用于将声学元件装接到集成电路上的系统技术方案

用于装接声学元件到集成电路的系统包括多种连接压电陶瓷或者微加工的超声换能器（ＭＵＴ）元件到集成电路（ＩＣ）的方法，从而通过结合ＩＣ中的信号来减少将声学元件连接到ＩＣ所需的导体数量。在发明专利技术的另一方面，换能器元件包括一导电的声学层，声波层包含一衬垫层和／或一连接到ＩＣ的去匹配层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及超声换能器，尤其涉及一种用于将超声换能器的声学元件装接到集成电路上的系统。
技术介绍
超声换能器已应用了相当长时间，并对于非介入式的医学诊断成像非常有效。超声换能器一般由压电元件或微加工的超声换能器(MUT)元件形成。压电元件典型地由压电陶瓷比如锆酸钛酸铅(一般称作PZT)制成，多个元件布置形成换能器。MUT是通过使用已知的半导体制造技术形成，以获得一电容性的超声换能器单元，该单元大体上包括一挠性膜，该挠性膜围绕其边缘在硅基片上被支撑。通过将电极形式的接触材料施加于膜或膜的一部分上和施加于硅基片的腔底部，然后在电极上施加合适的电压信号，MUT被激励以产生合适的超声波。同理，当被电偏置时，MUT的膜可以被用来接收超声信号，通过获取反射的超声能量并将此能量转化为电偏置膜的运动，从而生成一个接收信号。超声换能器元件可和控制电路组合在一起而形成换能器组件，该组件以电子线路板的形式进一步组装在一可能包括附加控制电子设备的外壳中，以组合成为超声探头。包含各种声匹配层、衬垫层和去匹配层的超声探头用于发射和接收经过机体组织的超声信号。以往，将一例如压电陶瓷换能器元件或者MUT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超声换能器探测器，包含：一探测器外壳；一超声传感器，其位于该探测器外壳内并具有多个元件；一集成电路，其位于探测器外壳内；和一重新分布层，其位于该超声传感器和该集成电路之间，该重新分布层具有一包括对应于该集 成电路的电路的第一表面，并具有一包括对应于该超声传感器的多个元件的电路的第二表面。

【技术特征摘要】
US 2001-7-31 09/919,4701.一种超声换能器探测器，包含一探测器外壳；一超声传感器，其位于该探测器外壳内并具有多个元件；一集成电路，其位于探测器外壳内；和一重新分布层，其位于该超声传感器和该集成电路之间，该重新分布层具有一包括对应于该集成电路的电路的第一表面，并具有一包括对应于该超声传感器的多个元件的电路的第二表面。2.根据权利要求1所述的换能器探测器，其特征在于，该超声传感器和该重新分布层被构形成一维阵列或二维阵列。3.根据权利要求1所述的换能器探测器，其特征在于，该超声传感器包含一微加工的超声换能器，并且该重新分布层通过使用从焊块、金块、导电胶粘聚合体块和胶粘聚合体细线粘接之中选择的装置从而连接到该超声传感器上。4.根据权利要求3所述的换能器探测器，其特征在于，该超声传感器包含一微加工的超声换能器，并且该微加工的超声换能器还包括一与多个微加工的超声换能器元件中每一个有关的导电通孔，该导电通孔构形成在该微加工的超声换能器元件和重新分布层的第二表面之间提供电连接。5.根据权利要求1所述的换能器探测器，其特征在于，还包含一位于该超声传感器和该重新分布层之间的胶粘材料，并且该胶粘材料是去匹配层。6.一种超声换能器探测器，包含一超声传感器，其具有多个元件，每个元件包括一导电的声学层；一集成电路；和重新分布层，其位于该超声传感器和该集成电路之间，该重新分布层具有一包括对应于该集成电路的电路的第一表面，并具有一包括对应于该多个超声传感器元件的电路的第二表面。7.根据权利要求6所述的换能器探测器，其特征在于，该导电的声学层是衬垫层。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：DG米勒，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]