半导体器件的制造方法技术

一种半导体器件的制造方法，包括使用一光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物来形成一光致抗蚀剂图案的工艺，该合成物包括：　　　　（ａ）占该合成物总重量５％至１５％的硫酸；　　　　（ｂ）占该合成物总重量１％至５％的过氧化氢或占该合成物总重量０．０００１％至０．０５％的臭氧；　　　　（ｃ）占该合成物总重量０．１％至５％的醋酸；　　　　（ｄ）占该合成物总重量０．０００１％至０．５％的氟化铵；以及　　　　（ｅ）剩余含量的水。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开一种使用一光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物来制造半导体器件的方法。在制造半导体器件期间，该光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物有效地去除在光致抗蚀剂图案形成工艺中由蚀刻或灰化(ashing)子工艺所产生的光致抗蚀剂残余物。
技术介绍
在现有半导体器件的制造工艺中，会在一导电层上形成一光致抗蚀剂图案，该导电层已被形成在一半导体衬底上。使用该光致抗蚀剂图案作为一掩模，就能够蚀刻该导电层中未被该光致抗蚀剂图案覆盖的部分，而得以形成一导电层图案。接着重复该光刻工艺，以形成多个导电图案。该光致抗蚀剂图案用作掩模，并且在形成该导电层图案的工艺完成之后，应在一剥离工艺中使用一光致抗蚀剂去除剂来去除导电层上的光致抗蚀剂。然而，由于当制作高度集成的器件时，会使用干式蚀刻工艺来执行用于形成导电层图案的蚀刻工艺，结果是，在干式蚀刻工艺期间会使光致抗蚀剂的物理特性变差，导致在后续剥离工艺中难以去除光致抗蚀剂材料。干式蚀刻工艺已经取代了采用液态酸合成物的湿式蚀刻工艺。在干式蚀刻过程中，会在等离子蚀刻气体与导电层之间产生气-固相反应物。由于使用干式蚀刻工艺可获得轮廓鲜明的图案，并且很容易控制图案，所以干式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括使用一光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物来形成一光致抗蚀剂图案的工艺，该合成物包括(a)占该合成物总重量5％至15％的硫酸；(b)占该合成物总重量1％至5％的过氧化氢或占该合成物总重量0.0001％至0.05％的臭氧；(c)占该合成物总重量0.1％至5％的醋酸；(d)占该合成物总重量0.0001％至0.5％的氟化铵；以及(e)剩余含量的水。2.如权利要求1的方法，该合成物包括(a)占该合成物总重量7％至10％的硫酸；(b)占该合成物总重量2％至4％的过氧化氢或占该合成物总重量0.0002％至0.001％的臭氧；(c)占该合成物总重量0.5％至2％的醋酸；(d)占该合成物总重量0.01％至0.05％的氟化铵；以及(e)剩余含量的水。3.如权利要求1的方法，其中该合成物的进一步特征为，该合成物作为一干式蚀刻清洁剂。4.如权利要求1的方法，其中形成光致抗蚀剂图案的工艺包括下列步骤制备一其上形成有一基底层的半导体衬底；在该基底层上形成一光致抗蚀剂图案；使用该光致抗蚀剂图案作为一蚀刻掩模，选择性蚀刻该基底层；以及使用所述光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物来清洁产生的结构，以去除残留的光致抗蚀剂聚合物，藉此形成基底层图案。5.如权利要求4的方法，其中该基底层选自由铝膜、铝合金膜、钛膜、氮化钛膜、钨膜及其组合所构成的群组。6.如权利要求5的方法，其中该基底层是通过顺序沉积一氮化钛膜、一铝膜及一钛膜而形成的叠层膜。7.如权利要求4的方法，其中该基底层是一绝缘膜，并且一金属膜被形成在该绝缘膜下方。8.如权利要求7的方法，其中该基底层是一HSQ(HydrogenSilsesquioxan...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴成焕，李昌奂，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：