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一种半导体器件的制造方法，包括使用一光致抗蚀剂聚合物去除剂合成物来形成一光致抗蚀剂图案的工艺，该合成物包括：　　　　（ａ）占该合成物总重量５％至１５％的硫酸；　　　　（ｂ）占该合成物总重量１％至５％的过氧化氢或占该合成物总重量０．０００１％...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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