【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，特别涉及电容器结构及其制造方法。
技术介绍
许多最新的集成电路都需要使用电容器。例如，在动态随机存取存储器(DRAM)设备中，电容器发挥了至关重要的数据存储功能。由于DRAM和其他存储设备集成度变得越来越高，需要新的制造工艺以增加这些电容器的存储容量。然而要想获得需要的电容容量却变得越来越难。足够的电容容量，对于获得诸如数据保持、刷新效果和恒定工作特性这样的特有的设备特性来说，是十分重要的。为提高电容容量，半导体行业将焦点投放在发展具有三维结构的电容器电极之上。这是因为电容器的电容大小与电容器电极的表面积直接成正例。据此，制造工艺通过增加单元电容器电极或存储节点的高度，以达到增大有效表面积之目的。例如，图1示出了存储节点的高度与根据现有技术制定的设计规则之间的关系。如图1所示，在现有技术中，当设计规则降低时，存储节点的高度即可增加。然而令人遗憾的是，增加存储节点的高度会导致许多问题。例如，如果需要存储节点的高度大于大约10,000埃，则很难构图作为存储节点的导电层。而且，当存储节点的高度增加时，发生倾斜存储节点的可能性也会显著增加。倾...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体电容器下电极，包括焊盘形状存储节点，与存储节点接触焊盘电连接；杯状存储节点，位于焊盘形状存储节点之上。2.如权利要求1所述的半导体电容器下电极，其特征在于杯状存储节点为单一圆柱层叠(OCS)电容器。3.如权利要求1所述的半导体电容器下电极，其特征在于杯状存储节点在平面图中可为方形、圆形或椭圆形。4.如权利要求1所述的半导体电容器下电极，其特征在于焊盘形状存储节点与杯状存储节点之间的高度比约为0.9∶1。5.如权利要求1所述的半导体电容器下电极，其特征在于焊盘形状存储节点包括盒状存储节点。6.如权利要求1所述的半导体电容器下电极，其特征在于焊盘形状存储节点包括实心圆柱状存储节点。7.一种半导体设备，包括半导体衬底；位于半导体衬底之上的中间绝缘层，且该中间绝缘层中具有接触焊盘；电容器下电极，与接触焊盘电连接，电容器下电极包括与存储节点接触焊盘电连接的焊盘形状存储节点；以及位于焊盘形状存储节点之上的杯状存储节点。8.如权利要求7所述的电容器，其特征在于焊盘形状存储节点为盒状存储节点或实心圆柱状存储节点。9.如权利要求7所述的电容器，其特征在于焊盘形状存储节点由多晶硅构成。10.一种制造半导体设备的方法，包括在半导体衬底上形成中间绝缘层，中间绝缘层包括接触焊盘；在接触焊盘上形成焊盘形状存储节点；在焊盘形状存储节点上形成杯状存储节点以构成电容器下电极。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成焊盘形状的存储节点包括在接触焊盘上形成蚀刻终止层和第一牺牲层，在第一牺牲层中形成第一存储节点开口，在第一存储节点开口中形成焊盘形状存储节点。12.如权利...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。