光生伏打元件的制造方法技术

一种光生伏打元件的制造方法，具有至少将基板上依次叠层了背面反射层、半导体层和透明电极层的光生伏打元件浸渍在电解质溶液中，对该光生伏打元件施加正向电压，通过对该光生伏打元件的短路部的所述透明电极层进行还原的电解处理，选择性除去该光生伏打元件的缺陷造成的短路电流通路的步骤，其中，通过将施加在所述光生伏打元件上的正向电压降低到０Ｖ或不引起所述透明电极层还原反应的正向电压时的电压梯度ΔＶ／Δｔ控制为－１５～－０．１Ｖ／ｓ，可靠地选择性除去分流部，而不增大分流路径。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光生伏打元件，特别涉及薄膜太阳电池的制造方法，涉及特性良好和成品率高的光生伏打元件的结构，特别涉及太阳电池的结构。
技术介绍
近年来，面对太阳电池的太阳光发电的实用化，进行着各种各样的研究开发。为了将太阳电池确立作为供给电力需要的电池，要求使用的太阳电池的光电变换效率非常高，其可靠性优良，并且可进行大量生产。非晶硅太阳电池与使用结晶系Si等制成的太阳电池比较，因其可低成本生产并且生产率高而引人注目。其理由是，使用容易获得的硅烷等气体作为原料气体，将其进行辉光放电分解，可在金属板和树脂板等比较便宜的带状基板上形成半导体膜等堆积膜。另一方面，还在推进微晶硅太阳电池的研究开发，与非晶硅太阳电池比较，微晶硅太阳电池光照射时的光电变换效率下降(所谓光恶化)少，并且与多晶硅太阳电池等结晶系硅太阳电池比较，可在更低的低温下形成。但是，在将太阳电池用作一般家庭的电力供给时，需要约3kW的输出，在使用光电变换效率为10％的太阳电池时，需要面积为30m2的大面积的太阳电池。但是，在太阳电池的制造工序上，制作完全没有缺陷的大面积的太阳电池非常困难。例如，在随机柱状生长的具有小晶粒的微晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光生伏打元件的制造方法，具有通过将在基板上至少依次叠层了背面反射层、半导体层和透明电极层的光生伏打元件浸渍在电解质溶液中，对该光生伏打元件施加正向电压使该光生伏打元件的短路部的所述透明电极层进行还原的电解处理，选择性除去由该光生伏打元件的缺陷造成的短路电流通路的步骤，其特征在于：施加在所述光生伏打元件上的正向电压降低到０Ｖ或不引起所述透明电极层还原反应的正向电压的步骤中的电压梯度为－１５Ｖ／ｓ～－０．１Ｖ／ｓ。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-6 029444/20031.一种光生伏打元件的制造方法，具有通过将在基板上至少依次叠层了背面反射层、半导体层和透明电极层的光生伏打元件浸渍在电解质溶液中，对该光生伏打元件施加正向电压使该光生伏打元件的短路部的所述透明电极层进行还原的电解处理，选择性除去由该光生伏打元件的缺陷造成的短路电流通路的步骤，其特征在于施加在所述光生伏打元件上的正向电压降低到0V或不引起所述透明电极层还原反应的正向电压的步骤中的电压梯度为-15V/s～～0.1V/s。2.如权利要求1所述的光生伏打元件的制造方法，其特征在于，使正向电压下降的时间大于等于0.3s。3.如权利要求1所述的光生伏打元件的制造方法，其特征在于，所述正向电压大于等于所述光生伏打元件的开路电压。4.如权利要求1所述的光生伏打元件的制造方法，其特征在于，所述施加电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：下田宽嗣，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]