【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及,特别是涉及作为在半导体衬底上具有多个金属布线层的半导体器件,在上下金属布线层之间的绝缘层的开口内部形成了电容元件的半导体器件及其制造方法。形成层间绝缘层107使得覆盖上述的电容元件C,下层电极109以及上层电极112的每一个经过在连接孔107a内埋入的金属插塞108与金属布线113电连接。通过该金属布线113向下层电极109以及上层电极112的每一个提供电位,在电极之间积累电荷。另外,晶体管T具有一对源/漏区103,栅极绝缘层104,栅极电极层105。一对源/漏区103在半导体衬底101的表面上相互隔开距离形成。栅极电极层105在由该一对源/漏区103夹持的区域上经过栅极绝缘层104形成。在该栅极电极层105上形成绝缘层106。一对源/漏区103的每一个经过在连接孔107a内埋入的金属插塞108与金属布线113电连接。在以往的具有电容元件的半导体器件中,在层间绝缘层107的表面上实施基于CMP(Chemical Mechanical Polishing)法的平坦化处理使得覆盖电容元件C以及晶体管T。这是为了通过减少层间绝缘层107上表面中的表面阶差,使得在其上层容易地进行基于照相制版的图形形成,同时提高尺寸精度。然而,在进行基于CMP法的平坦化时,层间绝缘层107的上表面由于几乎完全被平坦化,因此对于源/漏区103上的薄厚h3,栅极电极105上的膜厚h1将减薄栅极电极105的膜厚部分。同样,对于栅极电极105上的膜厚h1,上层电极112上的膜厚h2将减薄电容元件用电介质层110以及上层电极112的膜厚部分。通常,由于在由CMP法进行的 ...
【技术保护点】
一种具有电容元件的半导体器件,其特征在于具备:下部电极层(9A);形成在上述下部电极层(9A)上的电容元件用电介质层(10);形成在上述下部电极层(9A)以及上述电容元件用电介质层(10)的上面,而且具有到达上述电容元件用电介质 层(10)的孔(11a)的绝缘层(11);充填上述孔(11a)的内部,而且把上述电容元件用电介质层(10)夹在中间,与上述下部电极层(9A)相对的上部电极层(12A,13A),上述电容元件用电介质层(10)在上述孔(11a)的正下方 区以及上述孔的周壁的外周区域与上述下部电极层(9A)的上表面接触。
【技术特征摘要】
JP 2000-12-15 382038/001.一种具有电容元件的半导体器件,其特征在于具备下部电极层(9A);形成在上述下部电极层(9A)上的电容元件用电介质层(10);形成在上述下部电极层(9A)以及上述电容元件用电介质层(10)的上面,而且具有到达上述电容元件用电介质层(10)的孔(11a)的绝缘层(11);充填上述孔(11a)的内部,而且把上述电容元件用电介质层(10)夹在中间,与上述下部电极层(9A)相对的上部电极层(12A,13A),上述电容元件用电介质层(10)在上述孔(11a)的正下方区以及上述孔的周壁的外周区域与上述下部电极层(9A)的上表面接触。2.如果权利要求1中所述的具有电容元件的半导体器件,其特征在于上述电容元件用电介质层(10)与上述下部电极层(9A)的侧面接触。3.如权利要求1中所述的具有电容元件的半导体器件,其特征在于上述电容元件用电介质层(10)具有实质上与上述下部电极层(9A)的侧壁连续的表面。4.一种具有电容元件的半导体器件,其特征在于具备第1下部电极部分(9A);形成在上述第1下部电极部分(9A)上,而且具有到达上述第1下部电极部分(9A)的孔(11a)的绝缘层(11);具有沿着上述孔(11a)的周面形成的筒形部分,而且与上述第1下部电极部分(9A)电连接的第2下部电极部分(31);形成在上述第2下部电极部分(31)上的电容元件用电介质层(10);充填上述孔(11a)的内部,而且把上述电容元件用电介质层(10)夹在中间与上述第2下部电极部分(31)相对的上部电极层(12A,13A)。5.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件,其特征在于上述第2下部电极部分(31)不位于上述绝缘层(11)的上表面上。6.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件,其特征在于上述第2下部电极部分(31)具有在上述绝缘层(11)的上述表面上延伸的部分。7.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件,其特征在于上述孔(11a)形成为具有比上述第1下部电极部分(9a)的上表面宽的开口直径。8.如权利要求4中所述的具有电容元件的半导体器件,其特征在于形成多个上述孔(11a),多个上述孔(11a)的每一个到达单一的上述第1下部电极部分(9A),上述第2下部电极部分(31)具有沿着多个上述孔(11a)的各周面的部分,而且上述上部电极层(12A,13A)形成为充填多个上述孔(11a)的每一个。9.一种具有电容元件的半导体器件的制造方法,其特征在于具备在下部电极层(9A)上形成电容元件用电介质层(10)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:高田佳史,泉谷淳子,砂田繁树,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,菱电半导体系统工程株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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