【技术实现步骤摘要】
本申请是1994年8月5日提交的申请号为94109461.8的专利申请的分案申请。本专利技术涉及一种具有以强电介质膜或高电介质膜为电容绝缘膜的电容元件的半导体装置及其制造方法。近些年，随着微机和数字信号处理机等半导体装置的更为高速，功率消耗更低，民用电器的性能也进一步提高。但另一面，这些电器所产生的电磁噪音这种无用辐射又正成为大问题。因此，不用说电器，就是用在这些电器中的半导体装置，也需要应付无用辐射的办法。半导体装置最具效果的对付无用辐射的措施，是在电源线与接地线之间设置大容量电容元件，以往则是在半导体装置以外外接电容元件。另外，最近正在开发具有将强电介质膜用作电容绝缘膜的电容元件的单纯构成的非易失随机存取存储器，和将采用高介电常数电介质膜的电容元件作为保持电容的动态随机存取存储器。以下具体说明现有的具有电容元件的半导体装置。附图说明图1是这种代表性半导体装置的部分剖面图。图1中，在硅衬底1上分隔区域2所包围的区域内，形成了以扩散区域3、栅氧化膜4以及栅电极5所代表的集成电路6。在这硅衬底1上还形成了绝缘膜7，该绝缘膜7上的规定区域则形成有下电极8、电容绝缘膜9以...
【技术保护点】
一种半导体装置制造方法，其特征在于包括：在制作有集成电路的半导体基板的绝缘膜上形成由导电性膜制成的下电极；所述下电极上形成的强电介质膜或高电介质膜制成的电容绝缘膜；所述电容绝缘膜上形成的导电性膜制成的上电极所组成的电容元件的工序；形 成层间绝缘膜覆盖所述电容元件的工序；形成通过所述绝缘膜以及层间绝缘膜到达集成电路或电容元件上电极、下电极的接触孔的工序；形成通过所述接触孔与集成电路和电容元件电连接的电极配线的工序；形成保护膜覆盖所述电极配线的工序；以及热处 理所述电容元件的工序。
【技术特征摘要】
JP 1993-8-5 194617/93;JP 1993-8-5 194618/93;JP 1991.一种半导体装置制造方法，其特征在于包括在制作有集成电路的半导体基板的绝缘膜上形成由导电性膜制成的下电极；所述下电极上形成的强电介质膜或高电介质膜制成的电容绝缘膜；所述电容绝缘膜上形成的导电性膜制成的上电极所组成的电容元件的工序；形成层间绝缘膜覆盖所述电容元件的工序；形成通过所述绝缘膜以及层间绝缘膜到达集成电路或电容元件上电极、下电极的接触孔的工序；形成通过所述接触孔与集成电路和电容元件电连接的电极配线的工序；形成保护膜覆盖所述电极配线的工序；以及热处理所述电容元件的工序。2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：有田浩二，藤井英治，田恭博，上本康裕，那须，松田明浩，长野能久，井上敦雄，松浦武敏，大男，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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