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本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置，一种是形成膜中水分含量在０．５克／ｃｍ↑［３］以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的，还有另一种是形成氢含量在１０↑［２１］／ｃｍ↑［３］以下的保...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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