叠层型光生伏打元件制造技术

技术编号:3207274 阅读:164 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种叠层型光生伏打元件,由从光的入射侧起依次叠层的至少一组第1光生伏打元件和第2光生伏打元件构成,其特征在于:在至少一组的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件之间,配有将它们电导通连接的选择反射层,该选择反射层的表面电阻大于等于100kΩ/□且小于等于100MΩ/□。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有至少两个以上的发电功能单位的叠层型光生伏打元件
技术介绍
光生伏打元件是将入射光能量转换成电能的装置,其中,太阳电池将白色光的太阳光转换成电能,有以高效率地转换宽波长区域的光的光生伏打元件。因此,为了实现高转换效率,需要在宽波长的整个区域上高效率地吸收光。作为其解决方式,已知叠层构成以具有不同带隙的半导体层作为光激活层的光生伏打元件的叠层型光生伏打元件。这种叠层型光生伏打元件通过在光入射侧配置使用了带隙相对大的半导体的光生伏打元件,吸收能量大的短波长的光,在其下面配置使用了带隙相对小的半导体的光生伏打元件,吸收透过上面的元件的能量低的长波长的光,从而在宽波长区域中高效率地吸收利用光。这里,重要的一点是需要在各元件中导入适合各个光生伏打元件的波长区域的光。其理由在于,入射光的可利用波长区域因各个光生伏打元件在其光激活层中使用的半导体的带隙而受到制约。即,与带隙相比,能量低的光子被半导体吸收而不能利用。而与带隙相比具有大能量的光子虽被吸收,但因激活电子时可提供的电子的势能受到其带隙大小的限制,所以不能利用带隙能量和光子能量的差分。即,关键是在叠层型光生伏打元件中其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层型光生伏打元件,由至少一组从光的入射侧起依次叠层的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件叠层构成,其特征在于:在至少一组的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件之间,配有将它们电导通连接的选择反射层,该选择反射层的表面电阻大于等于1 00kΩ/□且小于等于100MΩ/□。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-26 084782/20031.一种叠层型光生伏打元件,由至少一组从光的入射侧起依次叠层的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件叠层构成,其特征在于在至少一组的第1光生伏打元件和第2光生伏打元件之间,配有将它们电导通连接的选择反射层,该选择反射层的表面电阻大于等于100kΩ/□且小于等于100MΩ/□。2.如权利要求1所述的叠层型光生伏打元件,其特征在于,所述选择反射层的表面电阻大于等于100kΩ/口且小于等于50MΩ/口。3.如权利要求1所述的叠层型光生伏打元件,其特征在于,所述选择反射层的表面电阻大于等于5MΩ/□且小于等于5...

【专利技术属性】
技术研发人员:冈田直人狩谷俊光
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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