【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到包括薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型平板显示器，更确切地说是涉及到包括TFT的平板显示器，此TFT具有多晶硅作为有源层以及开关TFT和驱动TFT的有源层沟道区的不同晶化结构。
技术介绍
诸如液晶显示器件、有机电致发光显示器件、或无机电致发光显示器件之类的平板显示器件中的薄膜晶体管(TFT)，被用作开关器件来控制象素的工作，并被用作驱动器件来驱动象素。TFT包括具有掺有高浓度杂质的漏区和源区以及形成在漏区与源区之间的沟道区的半导体有源层、形成在半导体有源层上的栅绝缘层、以及形成在位于有源层沟道区上部上的栅绝缘层上的栅电极。根据硅的晶化状态，半导体有源层可以被分类为非晶硅或多晶硅。采用非晶硅的TFT的优点在于能够在低温下进行淀积，但其缺点在于TFT的电学性质和可靠性变坏。而且难以制造较大的显示器件。于是，新近开始采用多晶硅。多晶硅具有约为几十到几百cm2/Vs的较高迁移率以及低的高频工作性质和泄漏电流值。于是，多晶硅适合用于高分辨率的大尺寸平板显示器。如上所述，TFT被用作平板显示器中象素的开关器件或驱动器件。具有有源驱动方法的有源矩阵型有机电致发...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种平板显示器，它包含发光器件；开关薄膜晶体管，它包括具有用来将数据信号传送到发光器件的沟道区的半导体有源层；以及驱动薄膜晶体管，它包括具有用来驱动发光器件致使预定的电流根据数据信号而流过发光器件的沟道区的半导体有源层，其中，开关薄膜晶体管的沟道区具有与驱动薄膜晶体管沟道中的晶粒不同的晶粒。2.权利要求1的平板显示器，其中，由于与各自相关的晶粒，开关薄膜晶体管的沟道区和驱动薄膜晶体管的沟道区具有不同的电流迁移率。3.权利要求2的平板显示器，其中，由于与各自相关的晶粒，开关薄膜晶体管的沟道区中的电流迁移率大于驱动薄膜晶体管的沟道区中的电流迁移率。4.权利要求1的平板显示器，其中，开关晶体管的晶粒具有不同于驱动晶体管的晶粒的平均尺寸的平均尺寸。5.权利要求4的平板显示器，其中，由于与各自相关的晶粒平均尺寸，开关薄膜晶体管的沟道区中的电流迁移率大于驱动薄膜晶体管的沟道区中的电流迁移率。6.权利要求4的平板显示器，其中，在开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管之间，要求较大电流迁移率的薄膜晶体管的沟道区中的晶粒平均尺寸大于具有较小电流迁移率的薄膜晶体管的沟道区中的晶粒平均尺寸。7.权利要求4的平板显示器，其中，开关薄膜晶体管的沟道区中的晶粒平均尺寸大于驱动薄膜晶体管的沟道区中的晶粒平均尺寸。8.权利要求1的平板显示器，其中，开关薄膜晶体管的沟道区中的晶粒具有不同于驱动薄膜晶体管中的晶粒的形状。9.权利要求8的平板显示器，其中，在开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管之间，要求较小电流迁移率的薄膜晶体管的沟道区具有不定形的晶粒边界。10.权利要求9的平板显示器，其中，要求电流迁移率大于具有不定形晶粒边界的薄膜晶体管的电流迁移率的薄膜晶体管的沟道区中的晶粒，包括基本上平行的主要晶粒边界以及沿基本上垂直方向从主要晶粒边界延伸在主要晶粒边界之间的次要晶粒边界，且主要晶粒边界被形成为条形或矩形。11.权利要求8的平板显示器，其中，在开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管之间，要求较大电流迁移率的薄膜晶体管的沟道区中的晶粒包括基本上平行的主要晶粒边界以及沿基本上垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：具在本，朴志容，李乙浩，金镇洙，郑镇雄，李昌圭，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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