识别在掩模层上的虚拟特征图形的系统和方法技术方案

提供一种用于在掩模层上识别虚拟／主要特征的自动化技术。在多掩模层技术中，虚拟／主要特征的定义可以根据连通性信息或功能性联合信息。在几何结构技术中，虚拟／主要特征的定义可以根据特征尺寸、特征形状、特征图案或者一个特征对邻近特征的接近性。在一个实施方案中，可以采用多个定义或多种技术。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在掩模层上从主要特征区别虚拟特征的自动化系统和方法，由此有效地利用资源和循环时间。
技术介绍
典型的集成电路(IC)芯片包括形成在基片上多重分层。这些分层，各层具有在其层上的预定图案，可导致在芯片表面上不平整的地貌。在一层上不平整的地貌可对于其连接的一层或多层产生不利效果。例如，附图说明图1A说明在芯片蚀刻层100的剖面图，其中蚀刻层100包括特征101和102。特征101延伸在水平面103之上，即突出部分，而特征102延伸在水平面103之下，即侵入部分。如果在蚀刻层100上形成另一分层104，如图1B所示，分层104由于分层100的不平整地貌而具有不平整的表面。分层104的不平整地貌将不受欢迎地使该分层制版过程复杂化，因为在分层100中的“台阶”产生光反射或覆盖不足。用来对付不平整地貌引起效果的普通技术是平面化。平面化的目的是保证随后制版的效果与以前分层下面的芯片地貌无关，或更现实地，较少相关。平面化对于需要关键性尺寸控制的分层特别重要。具体地说，不平整的地貌可使聚焦问题有相当深度，由此使芯片上关键性尺寸控制不可能。不过，平面化本身可在芯片上造成问题。例如，在图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从主要特征区别虚拟特征的方法，该方法包括：选择掩模层；提供识别在掩模层上的虚拟特征的技术；和应用该技术到所选择的掩模层上。

【技术特征摘要】
US 2001-8-28 09/941,4531.一种从主要特征区别虚拟特征的方法，该方法包括选择掩模层；提供识别在掩模层上的虚拟特征的技术；和应用该技术到所选择的掩模层上。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，该技术包括决定特征尺寸、特征形状、从多个特征中一个的图案和一个特征对另一特征的接近性的至少一个。3.按权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在技术中使用来自至少一个其它掩模层的信息。4.按权利要求3所述的方法，其特征在于，该信息包括在所选择的掩模层和至少一个其它掩模层之间的连通性、和在所选择的掩模层和至少一个其它掩模层之间的功能性联合的至少一个。5.按权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法是在光学接近性改正、相移位构造的放置、掩模制作、掩模检查和掩模修理在至少一个过程中执行。6.一种处理用于制造集成电路的掩模层的自动化方法，该方法包括识别在掩模层中的多个主要特征和至少一个虚拟特征；和只对多个主要特征提供该处理。7.按权利要求6所述的方法，其特征在于，处理包括至少下列三项之一改正光学接近性、提供相移位构造和使用关于主要特征和虚拟特征的至少一个的用户输入。8.按权利要求6所述的方法，其特征在于，处理是在掩模制造、掩模检查和掩模修理的至少一个过程中执行。9.按权利要求6所述的方法，其特征在于，识别包括应用多层技术和集合技术的至少一个。10.按权利要求6所述的方法，其特征在于，识别包括决定在掩模层上的特征尺寸、在掩模层上的特征形状、在掩模层上的多个特征的图案和在掩模层上的一个特征对另一个特征的接近性。11.按权利要求6所述的方法，其特征在于，识别包括使用用于集成电路的至少一个其它掩模层的信息。12.按权利要求11所述的方法，其特征在于，信息包括在掩模层至少一个其它掩模层之间的连通性、以及掩模层和至少一个其它掩模层之间的功能性联合的至少一个。l3.一种用于把图案转移到集成电路层上的掩模，该掩模包括多个主要特征；和至少一个虚拟特征，其中只有主要特征反映规划布置后的处理。14.按权利要求13所述的掩模，其特征在于，规划布置后的处理包括光学接近性改正、相移位构造放置和缺陷改正的至少一个。15.按权利要求13所述的掩模，其特征在于，多个主要特征的至少一个包括一辅助条。16.按权利要求13所述的掩模，其特征在于，至少一个虚拟特征提供对集成电路层的机械支持、对集成电路层的主要特征的分辨率改进、对集成电路层的试验构造和对集成电路层的标记的至少一个。17.按权利要求13所述的掩模，其特征在于，主要特征通过综合来自至少两个掩模层的信息而从虚拟特征中区别出来。18.按权利要求17所述的掩模，其特征在于，信息包括连通性信息和功能性联合信息的至少一个。19.按权利要求13所述的掩模，其特征在于，主要特征通过掩模层上的信息从虚拟特征中区别出来。20.按权利要求19所述的掩模，其特征在于，信息包括特征尺寸、特征形状、多个特征的图案和一个特征对另一个特征的接近性的至少一个。21.按权利要求13所述的掩模，其特征在于，主要特征通过掩模层上的和至少另一掩模层上的信息从虚拟特征中区别出来。22.按权利要求21所述的掩模，其特征在于，信息包括特征连通性、特征联合、特征尺寸、特征形状、特征图案和特征接近性中的至少二个。23.一种处理用于集成电路的掩模层的系统，该系统包括一种接受关于在掩模层上的特征的信息的装置；一种根据信息决定特征是主要特征和虚拟特征之一的装置；和一种如果特征是主要特征识别特征适合进一步处理、和如果特征是虚拟特征识别特征不适合进一步处理的装置。24.按权利要求23所述的系统，其特征在于，用于决定的装置包括用于接受关于该技术的用户输入的装置、决定特征尺寸的装置、决定特征形状的装置、决定来自多个特征的图案的装置和决定该特征对另一个特征接近性的装置的至少一个。25.按权利要求23所述的系统，其特征在于，决定的装置包括使用用于集成电路的至少一个其它掩模层的信息的装置。26.按权利要求26所述的系统，其特征在于，决定的装置包括使用掩模层和至少一个其它掩模层之间的连通性信息的装置，和利用在掩模层和至少一个其它掩模层之间的联合的装置的至少一个。27.按权利要求23所述的系统，其特征在于，还包括处理掩模层的装置。28.按权利要求27所述的系统，其特征在于，处理包括光学接近性改正、相移位构造放置、光栅扫描、矢量扫描、特征检查和特征修理的至少一个。29.一种集成电路，包括多个层，其中至少一层包括多个主要特征；和至少一个虚拟特征，其中只有主要特征反映制造后的处理。30.按权利要求29所述的集成电路，其特征在于，制造后的处理包括缺陷改正。31.按权利要求29所述的集成电路，其特征在于，该至少一个虚拟特征包括对于层的机械支持、对层的试验构造和对层做标记的至少一个。32.按权利要求29所述的集成电路，其特征在于，主要特征通过综合从至少两掩模层来的信息从虚拟特征中区别出来。33.按权利要求32所述的集成电路，其特征在于，信息包括连通性信息和功能性联合信息的至少一个。34.按权利要求29所述的集成电路，其特征在于，主要特征通过在掩模层上的信息从虚拟特征中区别出来。35.按权利要求34所述的集成电路，其特征在于，信息包括特征尺寸、特征形状、多个特征的图案和一个特征对另一个特征的接近性的至少一个。36.按权利要求29所述的集成电路，其特征在于，主要特征通...

【专利技术属性】
技术研发人员：FC张，C皮拉特，
申请(专利权)人：数字技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]