压电体元件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及由第１电极膜、第２电极膜、第１电极膜及第２电极膜所夹的压电体薄膜构成的压电体元件，特征是上述压电体薄膜为氧化物压电体薄膜，其相对化学计量组成上具有０％以上至１０％或１０％以下的氧缺损量。与处于化学计量组成的氧化状态的氧化物压电体薄膜相比，具有上述氧缺损量的压电体薄膜制成的压电体元件有较大的压电性，而且，在该条件下制作，可以增大成膜速度，从而能改善批量生产性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有压电体薄膜的。
技术介绍
近年来，根据不同的需要，压电体薄膜被加工成各种各样的压电体元件，特别是被广泛运用于加压能产生变形的致动器及由元件变形产生电压的传感器等功能性电子部件。例如，如日本特开2002-279742号公报中公开了运用压电体元件可以对磁盘的磁头位置进行微细控制。这是由于磁盘的记录密度增大，一个磁头的记录区域的面积变小，但用原来的音圈电机很难对磁头的位置进行高精度控制。因此，除了利用音圈电机确定位置，正在研究利用压电体元件来进行微小区域内的高精度位置确认的2段致动器的结构。所采用的压电体元件单元由一对压电体元件构成，一方伸张时，另一方收缩，因此可以使其前端附着的磁头在磁盘面上进行微小且高精度的移动。上述压电体元件通常用以下的方法制作而成。例如，用氧化镁单晶基板(MgO基板)作为基板。在该MgO基板上形成(100)取向的铂膜(Pt膜)。再在该Pt膜上形成(001)取向的钛酸锆酸铅(PZT)薄膜。进一步地，在该PZT薄膜上形成电极薄膜后，利用照相平板印刷法(フオトリ ソグラフイ一プロセス)和蚀刻法(エツチングプロセス)将这些薄膜加工成一定的形状。其后，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电体元件，其包括以下组成：包含第１电极膜、第２电极膜以及该第１电极膜和第２电极膜所夹的压电体薄膜的压电体元件，该压电体薄膜是相对化学计量组成具有０％以上至１０％或１０％以下的氧缺损量的氧化物压电体薄膜。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-20 141733/031.一种压电体元件，其包括以下组成包含第1电极膜、第2电极膜以及该第1电极膜和第2电极膜所夹的压电体薄膜的压电体元件，该压电体薄膜是相对化学计量组成具有0％以上至10％或10％以下的氧缺损量的氧化物压电体薄膜。2.权利要求1所述的压电体元件，其中所述压电体薄膜为通式Pb1+Y(ZrXTi1-X)O3+Z(其中0＜X＜1)表示的钛酸锆酸铅，将上述压电体薄膜中的氧缺损量比率用(Y-Z)/(Y+3)表示时，0＜(Y-Z)/(Y+3)≤0.1。3.权利要求2所述的压电体元件，所述压电体薄膜中，与其极化轴平行的方位的结晶取向度为70％或70％以上。4.权利要求2所述的压电体元件，所述压电体薄膜的结晶结构为钙钛矿型正方晶系，结晶取向(001)方向。5.权利要求2所述的压电体元件，所述压电体薄膜的结晶结构为钙钛矿型菱形晶系，结晶取向(111)方向。6.权利要求2所述的压电体元件，将所述通式Pb1+Y(ZrXTi1-X)O3+Z(其中0＜X＜1)中的部分Pb用选自2族典型元素、锰(Mn)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钐(Sm)、铕(Eu)和镱(Yb)的至少一种元素取代。7.权利要求2所述的压电体元件，所述通式Pb1+Y(ZrXTi1-X)O3+Z(其中0＜X＜1)中，选自Ti和Zr的至少一元素的一部分用选自铪(Hf)、铱(Ir)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、铈(Ce)、镨(Pr)及铽(Tb)的至少一种元素取代。8.权利要求2所述的压电体元件，所述通式Pb1+Y(ZrXTi1-X)O3+Z(其中0＜X＜1)中，选自Pb、Ti和Zr中的至少一种元素的一部分用选自一价1族典型元素、钪(Sc)、钇(Y)、铬(Cr)、硼(B)、铝(Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：喜多弘行，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]