压电元件装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种压电元件装置，更为详细地涉及一种压电元件装置，其包括：基板；IDT，其配置在所述基板上；连接电极，其配置在所述基板上并与所述IDT进行电连接；侧壁，其形成于所述IDT外围，以便在所述基板上产生包括所述IDT的中空部(cavity)；盖子，其形成于所述侧壁的上部；连接端子，其贯通所述侧壁或所述盖子，或者沿着所述侧壁的内周面或外周面形成，并与所述连接电极进行电连接；以及加固层，其形成为在所述盖子的上部不与连接端子重叠，并且所述加固层的面积是所述盖子的面积的50％以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压电元件(Acoustic wave)装置，更为详细地涉及能够保障耐压特性并可提高可靠性的压电元件装置。
技术介绍
晶圆级封装(Wafer Level Package,WLP)可以在晶圆级，也就是在没有从晶圆中分离个别芯片的状态下，可以制造作为完整产品的封装。并且可以直接使用用于制造封装的制造设备或在制造工艺中的现有晶圆制造设备或工艺。由于所述的WLP工艺是在晶圆(Wafer)状态中进行封装(Package)工艺，因此相对于以个别芯片为单位进行封装的现有方式，可以由一次的封装工艺生产出上百甚至上千个的封装，所以可大幅降低成本。最近，所述的晶圆级封装技术也适用于声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)的小型化/薄型化。声表面波滤波器封装在中空部内设置有IDT(叉指式换能器)，所述中空部由基板、侧壁、盖子而形成，且声表面波滤波器封装利用IDT的机械式振动从而作为滤波器进行操作，所以应确实地保护所述中空部。但是，在制造电子设备的工艺中，所述电子设备包括由WLP方式生产的声表面波滤波器，特别地发生了不能充分承受转移模塑工艺(transfer molding process)的高压的问题。为了改善所述问题，虽然存在由与基板相同的钢性材料形成侧壁、盖子的情况，但是存在制造单价高而收益率低的问题。下面的先行文献1用于改善所述问题，图1既是先行文献1所示的摘要附图也是先行文献1所提出的结构的截面图，图2作为先行文献1的图1A(Fig.1A)是先行文献1所提出的结构的平面图。先行文献1在保护罩(protective cover)(图1的7)上部添加导体层(conductive layer)(图1的18)，以便承受因转移模塑而产生的内压。特别是，从图2看出在先行文献1中在压电元件装置上面很宽地形成导体层(conductivelayer)而有效的承受内压，并且在先行文献1的权利要求13中明确指出了将导体层(conductive layer)的面积很宽地形成为压电元件装置的上面宽度的50％以上。但是先行文献1的方式导致其他问题。在保护罩(protective cover)上端很宽地形成导体层(conductive layer)时，发生压电元件装置的基板翘曲的情况(warpage)。为了防止上述问题而使基板加厚形成时，将会与压电元件装置薄型化的趋势逆行，在加厚基板上执行WLP后，磨削(grinding)基板时会因为附加工艺而出现制造单价上升并
收益率下降的问题。形成压电元件装置时，作为基板主要利用如LiTa2O3的单结晶体物质，但是这种物质存在因外部的物理冲击而容易破碎的缺点。所以，在进行工艺时有注意的必要。基板的翘曲幅度越大，工艺中所产生的问题就会越多。例如，形成加固层后，在适用于用于形成绝缘壳(cover)层的层压(laminating)工艺或涂层(coating)工艺时，应将基板放在真空卡盘(voccum chuck)上，并利用真空将基板变平，但上述发生翘曲(warpage)的基板在此过程中会发生易碎，或没有均匀涂抹绝缘壳层形成物质的问题。不仅如此，在WLP制作工艺中，将在晶圆状态下制造的多个压电元件装置分离(sawing)为单个的工艺中也可能发生基板易碎的问题。先行技术文献专利文献美国注册专利8436514号
技术实现思路
本专利技术用于解决现有技术缺陷，本专利技术的目的在于改善利用WLP方式制造出的压电元件装置的耐压特性。与此同时，本专利技术的目的在于通过防止基板翘曲现象而提高工艺收益率和可靠性。另外，本专利技术的另一目的在于将利用WLP方式制造出的压电元件装置小型化、薄型化的同时加强耐久性。根据用于解决所述课题的本专利技术一个实施例的压电元件装置，其包括：基板；IDT，其配置于所述基板上；连接电极，其安装在所述基板上并与所述IDT进行电连接；侧壁，其形成于所述IDT外围，以便在所述基板上产生包括所述IDT的中空部(cavity)；盖子，其形成于所述侧壁的上部；连接端子，其贯通所述侧壁或所述盖子，或者沿着所述侧壁的内周面或外周面形成，并与所述连接电极进行电连接；以及加固层，其形成为在所述盖子的上部不与连接端子重叠，所述加固层的面积是所述盖子的面积的50％以下。在本专利技术的另一个实施例中，所述加固层包括多个加固部件，所述加固部件的面积的总和可以是所述盖子的面积的50％以下，具体地所述加固部件的面积可以是所述盖子面积的20％以下。另外，在本专利技术的其他实施例中所述多个加固部件的间距或所述连接端子和相邻加固部件之间的间距可以是60um以下。根据本专利技术的另一个实施例的压电元件装置中，所述加固层包括多个加固部件，所述加固部件的面积可以是所述盖子面积的(所述加固部件的热膨胀系数/所述盖子的热膨胀系数)倍数以下。此时，可使所述盖子的热膨胀系数为所述加固层的热膨胀系数的3倍至6倍。在本专利技术的另一实施例中，所述连接端子包括至少一个以上的信号端子和至少两个以上的接地端子，且所述多个接地端子的至少两个以上可进行电连接。此时，在所述盖子上部可形成金属线，所述金属线用于将所述至少两个以上的接地端子进行电连接。在这种情况下，所述多个加固部件的间距或所述连接端子和相邻的加固部件的间距或所述金属线和相邻的加固部件的间距可以是60um以下。在本专利技术的其他实施例中，所述加固层的厚度可以形成为15um至50um，所述加固层和所述连接端子可进行电分离(isolated)，并且还可以包括覆盖所述侧壁、盖子、加固层的保护层。根据本专利技术，可以在改善压电元件装置的耐压特性的同时，防止基板翘曲的现象。不仅如此，可以改善压电元件装置的信号传达特性和信号处理特性。另外，可缩短压电元件装置制造工程，从而可以减少制造费用，而且可以提高制造收益率。并且还具有将压电元件装置小型化，薄型化的优点。附图说明图1是表示现有压电元件装置的截面图。图2是表示现有压电元件装置的平面图。图3是表示根据本专利技术的一个实施例的压电元件装置的截面图。图4及图5是表示根据本专利技术的一个实施例的压电元件装置的平面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的压电元件装置进行详细说明。说明的实施例是为了使一般的技术人员容易地理解本专利技术的技术思想而提供的，且本专利技术不因此受限。另外，在附图中表述的事项是为了更加容易地说明本专利技术的实施例，因此图示化的图可能和实际体现的形态有差异。此外，“包括”某些构成要素的表述，是“开放式”的表述，因此仅单纯地指出存在对应的构成要素，不能理解为排除附加的构成要素。另外，如“第一，第二”等的表述，仅是用于区分多个构成而使用的表述，不限定构成之间的顺序或其他特征。图3是表示根据本专利技术的一个实施例的压电元件装置的截面图。并且图4及图5是表示根据本专利技术多种实施例的压电元件装置的平面图，是在图3的截面图中沿着A-A`截断时可见的平面图。根据本实施例的压电元件装置包括：基板100；IDT(叉指式换能器)200，其配置在所述基板100上；连接电极110，其安装在所述基板100上并与所述IDT 200进行电连接；侧壁300，其形成于所述IDT 200外围，以便在所述基板100上形成包括所述IDT200的中空部(cavity)；盖子350，其形成于所述侧壁300的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电元件装置，其特征在于，包括：基板；IDT，其配置在所述基板上；连接电极，其配置在所述基板上，并与所述IDT进行电连接；侧壁，其形成于所述IDT外围，以便在所述基板上产生包括所述IDT的中空部；盖子，其形成于所述侧壁的上部；连接端子，其贯通所述侧壁或所述盖子，或者沿着所述侧壁的内周面或外周面形成，并与所述连接电极进行电连接；以及加固层，其形成为在所述盖子的上部不与所述连接端子重叠，且所述加固层的面积是所述盖子的面积的50％以下。

【技术特征摘要】
2015.01.13 KR 10-2015-00064371.一种压电元件装置，其特征在于，包括：基板；IDT，其配置在所述基板上；连接电极，其配置在所述基板上，并与所述IDT进行电连接；侧壁，其形成于所述IDT外围，以便在所述基板上产生包括所述IDT的中空部；盖子，其形成于所述侧壁的上部；连接端子，其贯通所述侧壁或所述盖子，或者沿着所述侧壁的内周面或外周面形成，并与所述连接电极进行电连接；以及加固层，其形成为在所述盖子的上部不与所述连接端子重叠，且所述加固层的面积是所述盖子的面积的50％以下。2.根据权利要求1所述的压电元件装置，其特征在于：所述加固层包括多个加固部件，所述加固部件的面积的总和是所述盖子的面积的50％以下。3.根据权利要求2所述的压电元件装置，其特征在于：所述加固部件的面积是所述盖子面积的20％以下。4.根据权利要求2所述的压电元件装置，其特征在于：所述多个加固部件的间距或所述连接端子和相邻的加固部件之间的间距在60um以下。5.根据权利要求1所述的压电元件装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勋龙，
申请(专利权)人：WISOL株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR