形成具有凹槽的焊盘的方法技术

一种焊盘（１００），通过首先在一个焊盘区域中提供铜（１８）与氧化硅功能部件（１４）的平整化组合而形成。氧化硅功能部件（１４）经过蚀刻处理，来在焊盘区域上的铜中形成多个凹槽（１５）。在所述铜上和所述凹槽中的氧化硅功能部件上形成一个腐蚀阻隔层（２２）。通过直接将探针贴附到所述铜上来对晶片（１０）进行探测。一个丝焊部（２４）被直接固附在铜（１８）上。由于凹陷功能部件（１５）的存在，防止了探针（８０）完全刺穿铜（１８）。利用所述铜中的凹槽（１５），丝焊部（２４）更易于破坏和刺穿腐蚀阻隔层，并且不太易于在焊盘（１００）上滑动。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上属于半导体
，更具体地说属于半导体上的焊盘

技术介绍
随着在半导体加工业中发展到利用铜来取代铝，需要能够将铜丝焊部(copper wire bond)固连到铜质焊盘上。伴随铜质焊盘的一个问题是，当对它们进行化学机械抛光(CMP)时，会发生表面凹陷现象。一种解决方案是在铜质焊盘上形成氧化槽，来提高平整度。但是，氧化槽会使得难以可靠地将金属与探针或者丝焊部发生接触。不带有切槽，不仅更难以进行CMP工艺，而且探针会损坏所述垫片，从而损害对丝焊部的接触能力。因此，需要一种焊盘结构，其允许存在切槽，并且不仅可以将铜丝丝焊到铜质焊盘上，而且能够可靠地与探针发生接触。附图简述下面借助于示例对本专利技术进行例证，但是本专利技术并不局限于附图中所示内容，在附图中，相似的附图标记指示相似构件，其中附图说明图1示出了一个半导体衬底一部分的横剖视图，示出了根据本专利技术一实施例的切槽；图2示出了图1中所示的那部分半导体衬底，其上形成有一个金属层；图3示出了图2中所示半导体衬底在平整化处理之后的状态；图4示出了图3中所示半导体衬底在钝化层形成之后的状态；图5示出了图4中所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体衬底（１０）上制取焊盘（１００）的方法，包括：在该半导体衬底上形成一个介电层（１２）；对介电层（１２）进行图案化处理，以在该介电层（１２）上的焊盘区域中形成多个功能部件（１４）；在介电层（１２）的上方、多 个功能部件（１４）之间以及多个功能部件（１４）上淀积一个铜层（１６）；对铜层（１６）进行化学机械抛光处理，以形成一个基本上平整的表面，该表面由多个功能部件（１４）的显露顶表面以及铜层（１８）的顶表面组成，铜层（１８）的顶表面在经过深 内蚀刻之后用于直接接收一个探针（８０）；　对所述多个功能部件（１４）进行深内蚀刻，以在经...

【技术特征摘要】
US 2001-9-14 09/952,5271.一种在半导体衬底(10)上制取焊盘(100)的方法，包括在该半导体衬底上形成一个介电层(12)；对介电层(12)进行图案化处理，以在该介电层(12)上的焊盘区域中形成多个功能部件(14)；在介电层(12)的上方、多个功能部件(14)之间以及多个功能部件(14)上淀积一个铜层(16)；对铜层(16)进行化学机械抛光处理，以形成一个基本上平整的表面，该表面由多个功能部件(14)的显露顶表面以及铜层(18)的顶表面组成，铜层(18)的顶表面在经过深内蚀刻之后用于直接接收一个探针(80)；对所述多个功能部件(14)进行深内蚀刻，以在经过深内蚀刻的铜层中形成凹槽(15)；以及在经过深内蚀刻的铜层上和所述凹槽中形成一个阻隔层(22)。2.如权利要求1所述的方法，还包括在所述半导体衬底上形成一个钝化层(20)；和在进行深内蚀刻处理之前，在所述焊盘区域上的钝化层(20)中形成至少一个局部开口(90)。3.如权利要求2所述的方法，还包括在所述钝化层上形成一个聚酰亚胺层；和在进行深内蚀刻处理之前，在所述焊盘区域上的聚酰亚胺层中形成至少一个局部开口。4.一种用于制取半导体结构的方法，包括提供一个半导体衬底(10)；在该半导体衬底(10)上形成一个介电层(12)；对介电层(12)进行蚀刻处理，以在一个焊盘区域中形成多个功能部件(14)；在介电层(12)上淀积铜(16)，以在该介电层(12)上形成一个铜层(16)，并且在所述功能部件(14)之间以及其上形成铜填料(18)；去除部分铜层(16)和铜填料(18)，以形成一个基本上平整的表面，该表面包括铜填料(18)的顶表面和各个功能部件(14)的顶表面；对所述多个功能部件(14)进行凹陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯S小林，斯科特K波兹德，
申请(专利权)人：自由度半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]