具有侧壁绝缘层的金属凸起和制造具有该金属凸起的芯片的方法技术

一种具有至少两个金属凸起（６ａ、６ｂ）的芯片，金属凸起（６ａ、６ｂ）相对的侧壁具有在等离子活性气体中沉积的绝缘层。绝缘层（７）的预定部分通过活性离子蚀刻消除。金属凸起可由贵金属形成，绝缘层可由比如ＳｉＯ↓［２］、Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］的介电材料形成。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种集成电路上的金属凸起，其具有侧壁绝缘层。本专利技术尤其涉及一种用于固定在玻璃板上的液晶显示器(LCD)的驱动集成电路。本专利技术还涉及一种制造包括该凸起的芯片的方法。此外，本专利技术涉及一种连接芯片基底和玻璃板或箔的连接器。各向异性接触膜(ACF)是一种常见的用来将芯片固定在玻璃板上的材料。它是一种粘合膜，由分散的、直径为3-15μm的微小导电颗粒和厚度为15-35μm的粘合剂构成。ACF装配工艺的局限性在于这样一个事实，即，通过减小相邻凸起之间的间隙，相邻凸起之间短路的可能性就急剧增加。接触两相邻凸起侧壁的导电球链的形成会使它们一起短路。ACF装配工艺专用于玻璃上的芯片(COG)和箔上的芯片(COF)的高级包装应用场合。美国专利申请US2002/0048924A1披露了这样的多个金属凸起，其包括至少一个具有第一侧壁的第一金属凸起，该第一侧壁包括第一预定区；至少一个具有第二侧壁的第二金属凸起，该第二侧壁包括紧邻第一预定区的第二预定区，其中，至少第一预定区覆盖有一绝缘层。该绝缘层可覆盖第一和第二金属凸起的整个侧壁。第一金属凸起的预定部分可覆盖有一绝缘层。这么一来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造具有金属凸起（６ａ、６ｂ）侧壁的绝缘层（７）的芯片的方法，芯片包括：不导电的芯片基底（２），沉积在不导电芯片基底（２）上的金属垫（１ａ、１ｂ），覆盖不导电芯片基底（２）和金属垫（１ａ、１ｂ）边缘的钝化层（３） ，覆盖一部分芯片钝化层（３）和金属垫（１ａ、１ｂ）的金属扩散抑制阻挡层（４），金属层（４）上的光致抗蚀剂图形（５），露出垫（１ａ、１ｂ）上金属层（４）的部分，使用之后被消除，至少一个位于垫（１ａ、１ｂ）的露出部分和金 属层（４）边缘上的凸起（６ａ、６ｂ），其特征在于，包括的步骤有：沉积覆盖...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-7-16 03102190.01.一种制造具有金属凸起(6a、6b)侧壁的绝缘层(7)的芯片的方法，芯片包括不导电的芯片基底(2)，沉积在不导电芯片基底(2)上的金属垫(1a、1b)，覆盖不导电芯片基底(2)和金属垫(1a、1b)边缘的钝化层(3)，覆盖一部分芯片钝化层(3)和金属垫(1a、1b)的金属扩散抑制阻挡层(4)，金属层(4)上的光致抗蚀剂图形(5)，露出垫(1a、1b)上金属层(4)的部分，使用之后被消除，至少一个位于垫(1a、1b)的露出部分和金属层(4)边缘上的凸起(6a、6b)，其特征在于，包括的步骤有沉积覆盖芯片钝化层(3)和金属垫(1a、1b)的金属层(4)，在等离子激活反应器中沉积绝缘层(7)，通过活性离子蚀刻消除绝缘层(7)预定的部分，部分地消除金属层(4)，这样就使剩留的金属材料形成凸起扩散抑制阻挡层(4′)。2.一种用来连接芯片基底(2)和相对基底(9)的连接器(10)，包括若干位于相对基底(9)上的电极垫(8a、8b)；若干位于芯片基底(2)上的导电凸起(6a、6b)，每一个导电凸起(6a、6b)都与相对基底(9)上若干电极垫(8a、8b)中对应的一个电连接；若干位于导电凸起(6a、6b)对应顶面上的导电颗粒(11)，使得相应的导电凸起(6a、6b)与若干电极垫(8a、8b)电连接；位于若干导电凸起(6a、...

【专利技术属性】
技术研发人员：J索洛德扎迪瓦，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]