制造倒装芯片器件的结构和方法技术

本发明专利技术提供焊料凸块结构和凸块下冶金结构。半导体衬底的上表面包含置于其上的第一导电焊盘（２００）。钝化层（２０２）覆盖上述上表面。第二导电焊盘（２１２）置于钝化层中的开口（２０４）中并与第一导电焊盘相接触。凸块下冶金结构（３００）包封第二导电焊盘，覆盖第二导电焊盘的上表面和侧壁面，保护第一和第二导电焊盘免受环境和工艺的影响。根据本发明专利技术，不再需要传统的第二钝化层。还给出了形成各种结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及用于形成倒装芯片封装连接的倒 装芯片封装连接结构和方法。
技术介绍
集成电路包括半导体衬底和半导体器件，例如由衬底内的掺杂区 域形成的晶体管。包括位于衬底之上的交替的导电层和电介质层的互 连系统将掺杂区域电连接以形成电路。导电层包括通过金属沉积和减法刻蚀工艺形成的导电路径或者 通过嵌刻工艺在沟槽中形成的导电通道。电介质层内的大致垂直的插 塞或者通孔连接上方和下方的导电路径或通路，包括连接至衬底中的 掺杂区域。导电通孔和导线通过采用包括金属沉积、光刻掩模、图案 化和减法刻蚀的传统制造技术形成。在制造和金属化(互连系统的制造)之后，集成电路被包围在由 用于将被封装芯片连接至电子装置中的电子元件的例如引脚、管脚或 者焊球的多个外部导电元件构成的封装中，典型的是将封装的外部导 电元件导电地帖附在电路板上的导电路径上。为了将集成电路连接至封装的导电元件，集成电路的最上层表面 (称为键合焊盘层)包括多个导电键合焊盘，导电元件(例如键合线、 焊料凸块、或者焊球)被导电地贴附在该键合焊盘上，以将键合焊盘 连接至封装的外部导电元件上。在铝基互连系统中，最上层沉积的铝 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成焊料凸块的方法，包括：在半导体衬底的上表面中形成第一导电焊盘；在所述上表面上方形成钝化层；在所述钝化层中形成开口以将第一导电焊盘的上表面露出；穿过所述开口形成与所述第一导电焊盘的上表面相接触的第二导电焊盘并延伸至所述钝化层的相邻区域；在所述第二导电焊盘的露出的表面上形成凸块下冶金结构；和在所述凸块下冶金结构的上表面上形成焊料凸块。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-2-24 60/655,8161.一种用于形成焊料凸块的方法，包括在半导体衬底的上表面中形成第一导电焊盘；在所述上表面上方形成钝化层；在所述钝化层中形成开口以将第一导电焊盘的上表面露出；穿过所述开口形成与所述第一导电焊盘的上表面相接触的第二导电焊盘并延伸至所述钝化层的相邻区域；在所述第二导电焊盘的露出的表面上形成凸块下冶金结构；和在所述凸块下冶金结构的上表面上形成焊料凸块。2. 如权利要求l中记栽的方法，其中，所述形成凸块下冶金结构的工序还包括将所述第二导电焊盘包 封在所述凸块下结构内。3. 如权利要求l中记栽的方法，其中，所述形成凸块下冶金结构的工序还包括在所述第二导电焊盘的 露出的上表面和露出的侧壁表面上形成所述凸块下冶金结构。4. 如权利要求1中记载的方法，其中， 所述形成第一导电焊盘的工序包括形成铜焊盘。5. 如权利要求l中记载的方法，其中， 所述形成第二导电焊盘的工序包括形成铝焊盘。6. 如权利要求l中记载的方法，其中，所述半导体衬底包括在所述第一导电焊盘下方的互连结构，所述 第一导电焊盘至少与所述互连结构之一电连通。7. 如权利要求l中记栽的方法，其中，所述焊料凸块在所述衬底中的导电区域和集成电路封装、电子部 件组装板或者接收衬底之间提供电连接。8. 如权利要求1中记载的方法，其中， 所述第一导电焊盘的材料与所述第二导电焊盘的材料不同。9. 一种用于制造半导体器件的方法，包括 在上表面上提供具有钝化层和键合焊盘的集成电路，每个键合焊盘通过所述钝化层中的开口露出；通过所述开口形成与键合焊盘的上表面相接触的导电焊盘，所述导电焊盘延伸至所述钝化层的相邻区域；在所述导电焊盘的露出的表面上形成凸块下冶金结构；和 在所述凸块下...

【专利技术属性】
技术研发人员：MA巴克曼，DS比廷，DP切塞尔，鞠泰镐，SM默钱特，
申请(专利权)人：艾格瑞系统有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]