单片倒装芯片中的多个半导体器件制造技术

一种倒装芯片结构（３０）包括通用芯片内的横向分开的诸如ＭＯＳＦＥＴ（１２和１３）的半导体器件。深沟槽（７０）将这些器件分开。触点与源极、漏极以及其它电极相连，并在芯片内或在支撑电路板上按电路功能的要求互连。球触点（Ｓ１、Ｓ２、Ｄ１和Ｄ２）与这些电极连接。与芯片的器件形成表面相对的表面带有铜或其它金属层（７１），该层被构图处理以增加用于热交换的面积。铜的表面上被覆盖以黑氧化物（８０）以提高其热辐射能力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请本专利技术要求2001年10月3日提交的第60/326,667号美国临时申请的优先权权益。本专利技术的领域本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及带有多个互连的半导体器件的单片半导体芯片。本专利技术的背景要求多个半导体芯片的大量电路是公知的，例如直流到直流转换器、半桥结构等等。用于这些电路的各个半导体器件(其可以包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、双极晶体管、二极管等)可被形成在一种倒装芯片(flip chip)结构中，用以与与其它电路元件一起安装并互连在印刷电路板上。倒装芯片器件在Naresh Thapar于2001年2月9日提交的名称为“VERTICAL CONDUCTION FLIP-CHIP DEVICE WITH BUMPCONTACTS ON A SINGLE SURFACE”(在单表面上带有块形接触的垂直传导倒装芯片器件)的第09/780,080号共同未决申请中(IR-1696(《伊利诺斯研究1696》))得到了披露。该公开被合并在本文中用作参考。因为需要在支撑表面上单独安装这些器件，所以需要电路板上有横向的间距或面积。使这些元件在支撑电路板上具有尽可能最本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成倒装芯片结构，包括：带有顶部结接纳表面的单片硅芯片；第一和第二半导体器件，每个所述半导体器件带有各自的结图案组和各自的端子金属组；所述第一和第二结图案组分别形成在所述顶部结接纳表面的多个横向分开的区域内；所述第一和第二器件的所述各端子金属组彼此横向分开，并被沉积在所述顶部结接纳表面的上方，由此使全部所述端子金属可在所述倒装芯片的一侧得以接通。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-10-3 60/326,667;US 2002-9-27 10/260,1481.一种集成倒装芯片结构，包括带有顶部结接纳表面的单片硅芯片；第一和第二半导体器件，每个所述半导体器件带有各自的结图案组和各自的端子金属组；所述第一和第二结图案组分别形成在所述顶部结接纳表面的多个横向分开的区域内；所述第一和第二器件的所述各端子金属组彼此横向分开，并被淀积在所述顶部结接纳表面的上方，由此使全部所述端子金属可在所述倒装芯片的一侧得以接通。2.根据权利要求1所述的器件，包括深的隔离沟槽，所述隔离沟槽延伸进所述顶部结接纳表面，并包围了含有一组所述结图案的区域。3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一和第二半导体器件为带有各自的源极、漏极和栅极端子金属的金属氧化物半导体场效应晶体管器件。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，每个所述端子金属都包括各自的接触球。5.根据权利要求1、2、3或4所述的器件，其特征在于，所述器件带有5个端子连接器，包括接至所述第一器件的漏极端子金属的第一端子连接器；连接至所述第二器件的所述源极端子金属的第二端子连接器；连接至所述第一器件的所述源极端子金属以及所述第二器件的所述漏极端子金属的第三端子连接器；以及分别连接至所述第一和第二器件的所述栅极的第四和第五端子连接器。6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述器件在同步...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克帕维尔，提姆萨蒙，
申请(专利权)人：国际整流器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]