用于图案细微化的涂膜形成剂和使用该形成剂形成细微图案的方法技术

本发明专利技术提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光刻胶图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔后，形成细微图案，其特征在于含有水溶性聚合物和表面活性剂。本发明专利技术还提供一种使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明专利技术，能够提供一种可得到具有以下特性的细微图案的涂膜形成剂和使用该涂膜形成剂形成细微图案的方法：即图案尺寸控制性优良，具有良好的外形，以及半导体器件所要求的特性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在光刻
中。具体而言，本专利技术涉及能够适应近年的半导体器件的集成化、微小化的。
技术介绍
在半导体器件、液晶元件等电子部件的制造中，目前采用的是这样一种光刻技术，即，在基板上进行蚀刻等处理时，用对活性放射线感应的所谓感反射线光刻胶在基板上设置被膜(光刻胶层)，然后选择性地用活性放射线对其进行照射，曝光，进行显影处理，选择性地溶解除去光刻胶层后在基板上形成图像图案(光刻胶图案)，以其作为保护层(掩膜图案)，在基板上形成穿孔图案、沟槽图案等各种图案。近年，随着半导体器件集成化、微小化倾向的增加，对于在其上的图案形成也要求进一步细微化，目前需要的是图案宽度为0.20微米以下的超细微加工，用于掩膜形成的活性光线一般采用KrF、ArF、F2准分子激光、电子射线等短波长的照射光，对于作为掩膜图案形成材料的光刻胶材料，也正在研究、开发具有对应于上述那些照射光物性的材料。除了从这类光刻胶材料方面研究超细微化对策之外，还从图案形成方法方面进行了各种研究和开发，以期获得一种超越光刻胶材料解像度极限的技术。例如，在特开平5-166717号公报中公开了这样一种刻花图案的形成方法，即本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：将其涂敷在具有光刻胶图案的基板上，利用其热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔后，形成细微图案，该涂膜形成剂的特征在于，含有水溶性聚合物和表面活性剂。

【技术特征摘要】
JP 2001-11-5 339309/2001;JP 2002-3-22 080517/20021.用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂将其涂敷在具有光刻胶图案的基板上，利用其热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔后，形成细微图案，该涂膜形成剂的特征在于，含有水溶性聚合物和表面活性剂。2.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中表面活性剂是选自N-烷基吡咯烷酮类表面活性剂、季铵盐类表面活性剂以及聚氧乙烯的磷酸酯类表面活性剂中的至少1种。3.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中表面活性剂在涂膜形成剂(固态成分)中的含量为0.1-10质量％。4.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中水溶性聚合物是选自亚烷基二醇类聚合...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅田祥树，金子文武，立川俊和，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]