图案细微化用涂膜形成剂和使用该形成剂形成细微图案的方法技术

本发明专利技术提供一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：在具有光致抗蚀剂图案的基板上涂敷该涂膜形成剂，利用其热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于该涂膜形成剂含有水溶性聚合物和含酰胺基的单体，或者含有至少含有（甲基）丙烯酰胺作为构成单体的水溶性聚合物。本发明专利技术还提供一种使用上述任何一种用于图案细微化的涂膜形成剂形成细微图案的方法。利用本发明专利技术，可以显著提高加热处理时用于图案细微化的涂膜形成剂的热收缩率，能够得到外形良好、具备现有半导体器件所要求特性的细微图案。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在光刻
中用于图案细微化的涂膜形成剂和使用该形成剂形成细微图案的方法。具体而言，本专利技术涉及一种能够适应近年的半导体器件的集成化、微缩化的、用于图案细微化的涂膜形成剂和使用该形成剂形成细微图案的方法。
技术介绍
目前在半导体器件、液晶元件等电子部件的制造中，采用的是这样一种光刻技术，即，在基板上进行蚀刻等处理时，用对活性放射线敏感的所谓感放射线光致抗蚀剂在基板上设置被膜(光致抗蚀剂层)，然后选择性地用活性放射线对其进行照射和曝光，进行显影处理，选择性地溶解除去光致抗蚀剂层后在基板上形成图像图案(光致抗蚀剂图案)，以其作为保护层(掩模图案)，在基板上形成通孔图案、沟槽图案等各种接触用图案等。近年，随着半导体器件集成化、微缩化倾向的增加，对于在其上的图案形成也要求进一步细微化，目前需要的是图案宽度为0.20微米或0.20微米以下的超细微加工，用于形成掩模图案的活性光线也采用KrF、ArF、F2准分子激光、电子射线等短波长的照射光，对于作为掩模图案形成材料的光致抗蚀剂材料，也正在研究开发具有对应于上述照射光的物性的材料。除了从这类光致抗蚀剂材料方面研究超细微化对策本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂：将其涂敷在具有光致抗蚀剂图案的基板上，利用该涂膜的热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于，该涂膜形成剂含有水溶性聚合物和含酰胺基的单体。

【技术特征摘要】
JP 2002-6-28 191055/2002;JP 2002-6-28 191056/20021.一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂将其涂敷在具有光致抗蚀剂图案的基板上，利用该涂膜的热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于，该涂膜形成剂含有水溶性聚合物和含酰胺基的单体。2.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中，所述含酰胺基的单体为下述通式(I)所表示的酰胺化合物， 式中R1表示氢原子、碳原子数为1～5的烷基或者羟烷基，R2表示碳原子数为1～5的烷基，R3表示氢原子或者甲基，m表示0～5的数。3.如权利要求2所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中，上述通式(I)中，R1表示氢原子、甲基、或乙基，m为0。4.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中，含酰胺基的单体为丙烯酰胺和/或甲基丙烯酰胺。5.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中，含酰胺基的单体在用于图案细微化的涂膜形成剂(固态成分)中的含量为0.1～30质量％。6.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中，水溶性聚合物是选自下列物质中的至少1种亚烷基二醇类聚合物、纤维素类衍生物、乙烯基类聚合物、丙烯酸类聚合物、尿素类聚合物、环氧类聚合物、三聚氰胺类聚合物、及酰胺类聚合物。7.如权利要求1所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中，水溶性聚合物是选自亚烷基二醇类聚合物、纤维素类衍生物、乙烯基类聚合物、丙烯酸类聚合物中的至少1种。8.一种用于图案细微化的涂膜形成剂，是一种用于按以下方式形成细微图案的涂膜形成剂将其涂敷在具有光致抗蚀剂图案的基板上，利用该涂膜的热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔后，实质上完全除去该涂膜，形成细微图案，其特征在于，该涂膜形成剂含有水溶性聚合物，所述水溶性聚合物至少含有丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺作为构成单体。9.如权利要求8所述的用于图案细微化的涂膜形成剂，其中，水溶性聚合物为丙烯酰胺或...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅田祥树，金子文武，立川俊和，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]