【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高压元件(High Voltage Device)的制造方法，特别涉及一种利用逆向(Retrograde)离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体(CMOS)的方法。
技术介绍
高压元件是应用于电子产品中需要以高电压进行操作的部份，通常在集成电路的架构中，有些产品在其输入/输出(I/O)区域中的控制元件会比在核心元件区域中的控制元件所需电压更大，此输入/输出区域必须具有较能耐更高电压的元件，以避免在高压的正常操作下，发生电流崩溃(breakdown)的现象，所以其结构与一般元件并不相同。现有的高压互补式金属氧化物半导体元件(CMOS)的构造如第一图所示，在一P型半导体基底10中先形成一N型井(N-Well)12，然后在NMOS区域形成N型漂移(N-drift)区域14以及在PMOS区域形成P型漂移(P-drift)区域16；接着在该基底10上形成场氧化层18、栅极氧化层(gate oxide)20及多晶硅栅极22，最后再在该基底10内以离子植入法在NMOS区域中形成N+型离子掺杂区域24，并在PMOS区域中形成P+型离子掺杂区域26，以分别...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法，其特征在于，包括下列步骤提供一半导体基底，其上可形成有隔离结构及一牺牲氧化层；利用逆向离子植入方式，以高电压离子植入形成重掺杂井区，以及淡掺杂的N型漂移区域与P型漂移区域；经热制程处理，使掺杂离子驱入该半导体基底中，而后移除该牺牲氧化层；在该半导体基底上形成一栅极氧化层，并利用微影蚀刻制程形成多晶硅栅极结构；及于该多晶硅栅极结构二侧的半导体基底中进行离子植入步骤，而分别在该N型漂移区域与该P型漂移区域内形成重N型掺杂区域及重P型掺杂区域，以作为源/漏极。2.根据权利要求1所述的利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法，其特征在于，其中该半导体基底为P型半导体基底，该重掺杂井区则为N型掺杂井区。3.根据权利要求1所述的利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法，其特征在于，其中该隔离结构为场氧化隔离结构。4.根据权利要求1所述的利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法，其特征在于，其中该场氧化隔离结构是利用一图案化氮化硅层为元件，蚀刻一氧化层所形成的。5.根据权利要求1所述的利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：高荣正，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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