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一种利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，其上可形成有隔离结构及一牺牲氧化层；　　　　利用逆向离子植入方式，以高电压离子植入形成重掺杂井区，以及淡掺杂的Ｎ型漂移区域与Ｐ...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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