差动式变容器的集成电路结构制造技术

一种差动式变容器的集成电路结构，包括：一ｐ型基板；一ｎ型阱区，设于该ｐ型基板顶面；至少三个ｎ型离子植入区，分别设于该ｎ型阱区顶面；一金属联机，将所述的至少三个ｎ型离子植入区相连接；一偏压控制点，其耦接所述的ｎ型离子植入区；以及，一第一栅极及一第二栅极相连在一起。利用组合的方式设计差动式变容器的集成电路，寄生的效应可于制作过程中一并被考虑，进而降低对电路产生的不正确性，并有效缩小芯片体积，降低制作成本，且不会因绕线时有不对称的情况产生，更可于制造时得知可变电容整体的负载品质因素，以进一步有效控制可变电容整体的负载品质；其也不需重新定位联机相互对称的位置，以减少制作时的难度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种差动式变容器的集成电路结构，尤指一种利用组合的方式设计差动式变容器的集成电路，使其绕线时不会有不对称的情况产生，以有效缩小芯片体积，且降低对电路产生的不正确性，更进一步有效控制可变电容整体的负载品质。
技术介绍
在射频微波及无线通信的应用中，电压控制振荡器(VCO)，一直是一个不可缺少的重要电路，其利用偏压改变电路里的变容器，使其改变电容值进而改变振荡频率。而愈来愈多的人采用差动电路的方式来设计电压控制振荡器(VCO)的电路，以降低共模效应所产生噪声(common-mode noise)的干扰，为了达到差动的效果，差动式变容器就成了必要的组件，但常用作法的差动式变容器都是利用两个独立的变容器所组成，如此的作法不仅增加芯片面积，且两独立变容器之间联机所产生的寄生效应也会增加电路的不确定性。如图1A及图1B所示，其中常用的差动式变容器是由第一变容器1及第二变容器2所组成，于两p型基板10、20上的n型阱区11、21内，形成n+植入点12、22，将n+植入点12、22连接在一起形成一偏压控制点Vc，且利用P1和P2作为与其它电路相连接的连接点，加上p+植入点13、23本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种差动式变容器的集成电路结构，其中包括有：　　　　一ｐ型基板；　　　　一ｎ型阱区，设于该ｐ型基板顶面；　　　　至少三个ｎ型离子植入区，分别设于该ｎ型阱区顶面；　　　　一金属联机，将所述的至少三个ｎ型离子植入区相连接；　　　　一偏压控制点，其耦接所述的ｎ型离子植入区；以及，　　　　一第一栅极及一第二栅极相连在一起。

【技术特征摘要】
1.一种差动式变容器的集成电路结构，其中包括有一p型基板；一n型阱区，设于该p型基板顶面；至少三个n型离子植入区，分别设于该n型阱区顶面；一金属联机，将所述的至少三个n型离子植入区相连接；一偏压控制点，其耦接所述的n型离子植入区；以及，一第一栅极及一第二栅极相连在一起。2.如权利要求1所述的差动式变容器的集成电路结构，其中该第一栅极和该第二栅极是以该偏压控制点为中心，相对称分布于该偏压控制点两侧。3.如权利要求1所述的差动式变容器的集成电路结构，其中该第一栅极为多晶硅。4.如权利要求1所述的差动式变容器的集成电路结构，其中该第二栅极为多晶硅。5.如权利要求1所述的差动式变容器的集成电路结构，其中该p型基板顶面更包括有一p型离子植...

【专利技术属性】
技术研发人员：高荣穗，施博议，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]