40Gb/s波导型PIN光探测器管芯台面的化学腐蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种４０Ｇｂ／ｓ波导型ＰＩＮ光探测器管芯台面的化学腐蚀方法。它涉及一种光通信用４０Ｇｂ／ｓ光探测器关键部分－－双联体管芯台面的制作。该光探测器的管芯台面，是由ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ（或ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ）多层异质材料构成的、宽×长为（６－８）×（２４－２６）微米、高为（２．７－３．１）微米的斜台面结构。该台面结构，由采用特定配比的ＨＢｒ－Ｋ↓［２］Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［７］－Ｈ↓［２］Ｏ混合腐蚀液，通过两次（或多次）化学腐蚀而成，并经台阶仪精确测试，达到规定要求。该特定配比的混合腐蚀液，具有配置简单、对大多数Ⅲ－Ⅴ半导体化合物材料均能适用、腐蚀速率快、使用方便等诸多特点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种40Gb/s波导型PIN光探测器管芯的工艺制作方法。尤其是涉及一种40Gb/s波导型PIN光探测器双联体台面管芯的化学腐蚀方法。
技术介绍
随着光通信技术的不断发展，开始出现了40Gb/s光通信系统和光电子器件的报道，它代表了当今光通信技术发展的最高水平。40Gb/s光通信设备中关键部件为40Gb/s光发送模块和40Gb/s光接收模块。而在40Gb/s光接收模块中，40Gb/s PIN型光探测器是必需的关键光电子器件。PIN型光探测器有许多不同形式的结构。它包括传统的正面进光的PIN探测器、金属-半导体-金属光探测器、具有反馈耦合腔加强的正面进光探测器、单行载流子探测器和侧面进光的波导型PIN光探测器(WG-PIN-PD)等。传统的正面进光的PIN探测器，受到光吸收层厚度、电阻-电容(RC)时间常数的限制；而侧面进光的波导型PIN光探测器，光入射方向和载流子运动方向互相垂直，因而可获得极高的光响应速度和几十GHz的带宽。这是传统的正面进光的光探测器远远不及的。对超高速(40Gb/s)光信号探测器来说，最关键的技术指标是光响应速率和光量子效率。光响应速率主要取决于光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光探测器管芯台面的化学腐蚀方法，包括配置一种特定组成、化学配比的混合腐蚀液、掩膜制备和刻蚀及光探测器管芯台面的化学腐蚀，其特征在于：混合腐蚀液由化学分析纯的ＨＢｒ、Ｋ↓［２］Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［７］、Ｈ↓［２］Ｏ组成，其化学配比为：ＨＢｒ∶Ｋ↓［２］Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［７］∶Ｈ↓［２］Ｏ＝（９９－１０２）ｃｃ．∶（３．７－３．９）ｇ∶（１１９－１２２）ｃｃ．；掩膜由ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ和光刻胶ＥＰＧ５１２或Ｓ１８１３复合膜构成；光探测器管芯台面的化学腐蚀包括定域化学腐蚀、清洁处理、吹干保存和加深腐蚀。

【技术特征摘要】
1.一种光探测器管芯台面的化学腐蚀方法，包括配置一种特定组成、化学配比的混合腐蚀液、掩膜制备和刻蚀及光探测器管芯台面的化学腐蚀，其特征在于混合腐蚀液由化学分析纯的HBr、K2Cr2O7、H2O组成，其化学配比为HBr∶K2Cr2O7∶H2O＝(99-102)cc.∶(3.7-3.9)g∶(119-122)cc.；掩膜由SiO2、SiNx和光刻胶EPG512或S1813复合膜构成；光探测器管芯台面的化学腐蚀包括定域化学腐蚀、清洁处理、吹干保存和加深腐蚀。2.如权利要求1所述的光探测器管芯台面的化学腐蚀方法，其特征在于配置所述混合腐蚀液的步骤包括，a.准备好容量为500cc.干净的玻璃烧杯和500cc.深色玻璃磨口瓶；然后，在通风橱中进行b.根据需要，按照所述规定的化学配比，用天平称取适量的K2Cr2O7放入烧杯中；c.按照上所述规定的化学配比，用量筒量取适量的分析纯H2O放入有K2Cr2O7的烧杯中；并在(30-40)℃下加热，使K2Cr2O7完全溶解；d.按照上述规定的化学配比，用量筒量取适量的分析纯HBr缓慢倒入有H2O、K2Cr2O7的烧杯中；然后把配置好的混合腐蚀液，倒入干净的深色玻璃磨口瓶中，密盖保存待用。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁国庆，方芳，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]