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本发明公开了一种４０Ｇｂ／ｓ波导型ＰＩＮ光探测器管芯台面的化学腐蚀方法。它涉及一种光通信用４０Ｇｂ／ｓ光探测器关键部分－－双联体管芯台面的制作。该光探测器的管芯台面，是由ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ（或ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／Ｉ...
该专利属于武汉电信器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉电信器件有限公司授权不得商用。

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