【技术实现步骤摘要】
一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片
本专利技术专利涉及碲镉汞红外探测器,具体是指一种低损伤埋结式碲镉汞红外探测器芯片。
技术介绍
碲镉汞材料是一种理想的红外探测器材料,具有禁带宽度可调、内量子效率高、电子、空穴迁移率高等优点。随着Si基碲镉汞材料分子束外延制备技术的成熟,突破了材料尺寸的限制,使材料制备的成本得到降低,成品率提高。第三代碲镉汞探测器正向着大面阵、多色化、微型化和低成本方向发展。但随着面阵规模的扩大和像元中心距的减小,盲元问题成为一个制约器件性能的关键问题。传统的碲镉汞器件多采用平面型器件结构,即光敏元的n型和p型区都位于材料表面,当进行后续的器件制备工艺时,如表面清洗、去胶等,极易在光敏元区域造成缺陷增值引起探测器性能降低,甚至造成盲元。如何在现有工艺条件下减小制备工艺对器件性能的影响对降低盲元率具有重要意义。
技术实现思路
基于上述平面型碲镉汞探测芯片存在的问题,本专利技术提供一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片,它通过将p-n结精确注入至碲镉汞材料内部,使得结区位置远离材料表面,有效避免了后续器件工艺对光敏元性能的影响,能够极大降低焦平面盲元率。本专利技术的低损伤埋结式碲镉汞红外探测器芯片的结构依次为:衬底1,碲镉汞p型外延薄膜2,离子注入n型区3,钝化层4,n型区电极5,p型区电极6,铟柱阵列7。由硼离子注入形成的光敏感元的n型区阵列3和p型区2共同形成红外光伏探测芯片的光电二极管阵列,其特征在于:利用离子注入方法形成的离子注入n型区3制备在碲镉汞p型外延薄膜2上深度为0.5~3.0μm的腐蚀坑内部;离子注入窗口与腐蚀坑大小相等。本专利技术的优 ...
【技术保护点】
一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片,包括:红外衬底(1),碲镉汞p型外延薄膜(2),离子注入n型区(3),钝化层(4),n型区上电极(5),p型区上电极(6),铟柱阵列(7);其特征在于:利用离子注入方法形成的离子注入n型区(3)制备在碲镉汞p型外延薄膜(2)上深度为0.5~3.0μm的腐蚀坑内部;离子注入窗口与腐蚀坑大小相等。
【技术特征摘要】
1.一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片,包括:红外衬底(1),碲镉汞p型外延薄膜(2),n型区(3),钝化层(4),n型区上电极(5),p型区上电极(6),铟柱阵列(7);其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡晓宁,张姗,樊华,廖清君,叶振华,林春,丁瑞军,何力,
申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所,
类型:发明
国别省市:上海;31
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