硅薄膜太阳能电池制造技术

本申请提供了一种硅薄膜太阳能电池。该硅薄膜太阳能电池包括衬底、至少一个半导体层、透明导电层与金属层，各半导体层包括依次设置的至少一个N型层、至少一个I型层与至少一个P型层。其中，N型层中的至少一个为宽带隙N型层，形成宽带隙N型层的材料的能带宽度大于形成I型层的材料的能带宽度。该硅薄膜太阳能电池使用宽带隙N型层可以提高开压，提高填充因子，进而提高硅薄膜太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种硅薄膜太阳能电池。
技术介绍
硅薄膜太阳能电池具有原材料消耗少，能耗低，制备工艺简单，可使用廉价的玻 璃、不锈钢、塑料等衬底的特点，是光伏发电市场的重要组成部分。 硅薄膜太阳能电池的主体结构(也称半导体层)包括P型掺杂层(P型层）、本征层（I 型层)和N型掺杂层(N型层）。现有技术中，N型层、I型层与P型层均选择相同的材料，根据选 用材料的不同又可分为非晶硅太阳电池和微晶硅太阳电池，非晶硅太阳电池中的P型层、I 型层、N型层均为非晶硅材料，微晶硅太阳电池的P型层、I型层、N型层均选用微晶硅材料。 硅薄膜太阳能电池中，由于N型层、I型层与P型层均选择相同的材料，而形成同质 结，如图1所示，同质结的I型层与N型层的界面处能带平滑过渡，少子(空穴)有向N型层扩散 的可能，这会导致反向扩散电流的增加，进而减小电池开路电压。 专利CN200510013862.9提出了一种使用宽带隙纳米硅作为硅薄膜太阳能电池P型 层的技术方案，目的是提高P型层的光透过率。该方案无法解决空穴向N型层扩散的问题，同 时P型层与I型层界面处的异质结会阻碍光生空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅薄膜太阳能电池，包括衬底(10)、至少一个半导体层(20)、透明导电层(30)与金属层(40)，各所述半导体层(20)包括依次设置的至少一个N型层(22)、至少一个I型层(23)与至少一个P型层(24)，其特征在于，所述N型层(22)中的至少一个为宽带隙N型层，形成所述宽带隙N型层的材料的能带宽度大于形成所述I型层(23)的材料的能带宽度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭文博，刘大为，高虎，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11