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一种差动式变容器的集成电路结构，包括：一ｐ型基板；一ｎ型阱区，设于该ｐ型基板顶面；至少三个ｎ型离子植入区，分别设于该ｎ型阱区顶面；一金属联机，将所述的至少三个ｎ型离子植入区相连接；一偏压控制点，其耦接所述的ｎ型离子植入区；以及，一第一栅极及...
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