【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种栅极结构的制造方法，特别是关于一种制造凹槽栅极(notched gate)结构的方法。
技术介绍
就集成电路(IC)技术而言，缩小工C尺寸规格乃是长久以来的一个重要课题，IC器件的尺寸愈来愈小，在有限的面积上，器件上的设计面临必须降低器件上的电容，以提升器件的工作速度；此外，由于减少IC芯片面积可有较高的制造产量，所以仍持续减小IC尺寸。在金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)中，当器件尺寸缩小至数十个纳米(nm)时，栅极与源极/漏极延伸区(extension)的寄生电容(parasitic capacitance)就变得十分明显，也因此限制了MOSFET的工作速度及电性品质；而后有人提出具凹槽栅极(notchedgate)结构，以降低栅极与源极/漏极延伸区寄生电容的产生。但现有的形成具有凹槽栅极轮廓的方法是利用等向性蚀刻(isotropic etching)，由于在进行等向性蚀刻工艺时，因任一方向的蚀刻速率均相同，因此不易控制所需的凹槽结构与尺寸，因而限制了半导体器件成品率与产量的提升。因此，现有的半导体制作工艺在面临器件集成度愈来愈高，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，包括提供一个半导体基底，其上形成一个第一氧化层；在所述第一氧化层上形成一第一导电层；去除部分所述第一氧化层与所述第一导电层，以形成若干个第一栅极结构；在所述若干第一栅极结构的侧壁分别形成第一间隙壁；在所述半导体基底上形成一个第二氧化层；在所述第二氧化层上形成一个第二导电层；去除所述若干第一栅极结构及其上面的所述第二导电层，以形成一个第二栅极结构；以及形成一个第二间隙壁于该第二栅极结构的侧壁上。2.根据权利要求1所述的一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，所述第二栅极结构是由所述第二导电层、所述第二氧化层及所述若干第一间隙壁所组成。3.根据权利要求1所述的一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，所述第二栅极结构具有与所述导体基底相接触的第一边，以及相对于所述第一边的第二边，且所述第一边小于第二边。4.根据权利要求1所述的一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，在形成所述第二间隙壁的步骤前，在所述半导体基底中注入若干第一离子，以形成若干个轻掺杂漏极。5.根据权利要求1所述的一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，在形成所述第二间隙壁的步骤前，在所述半导体基底中注入若干第二离子，以形成若干个源极与漏极区域。6.根据权利要求1所述的一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，所述第一导电层为一个多晶硅层。7.根据权利要求1所述的一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，所述第二导电层为一个多晶硅层。8.根据权利要求1所述的一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，形成所述若干个第一栅极结构的步骤包括下列步骤在所述第一导电层上形成一个图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶层为掩膜，蚀刻该导电层与所述第一氧化层...
【专利技术属性】
技术研发人员：许允埈，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。