【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种自行对准接触窗(self-aligned contact，SAC)的制造方法，特别是关于一种具有较低寄生电容(parasitic capacitance)的自行对准接触窗结构的制造方法。
技术介绍
现今的半导体工业持续不断改良半导体器件性能，降低这些半导体器件的制造成本，且随着微型化的趋势，使用次微米等级所制造的半导体器件能够达到兼顾使用与成本的目标。次微米器件的使用特色体现在具有更小尺寸的半导体芯片上，使一般的器件内布局密集度增加，进而可在一个特定尺寸基板上容纳较多的半导体器件。因此，特定的半导体结构制作工艺，例如光刻、干蚀刻等制作工艺已经成为进入次微米制作工艺的主要关键工艺因素。然而，在介层洞制作工艺方面，利用新进的半导体制作工艺技术与使用如自行对准接触窗结构(SAC)的特殊结构设计，可使微型化程度更高，工作速度更快，从而使半导体产业能够有更大的发展。自行对准接触窗结构的概念是形成一个位于栅极结构间的接触洞，为了保留在栅极结构间的最小空间，此接触洞的直径小于目前显影技术所能达到的范围。在一般的自行对准接触窗制作工艺中，栅极结构包含一氮化硅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，包括提供一个半导体基底，其上依序形成至少两个栅极堆栈结构及覆盖于其上的一个介电层，其中该栅极堆栈结构具有一个氮化层表面；去除部分该介电层以暴露出部分该半导体基底与该氮化层表面；对该氮化层表面进行一氧化处理，用以降低该氮化层表面的介电常数。2.根据权利要求1所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述栅极堆栈结构包含有一个导电电极；一个位于该导电电极上的绝缘层；以及一个间隙壁结构，位于该导电电极两侧，且该间隙壁结构的外表面为该氮化层表面。3.根据权利要求2所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，在该绝缘层两侧形成该间隙壁结构。4.根据权利要求2所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层由氮化层所组成。5.根据权利要求1所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述氧化处理是使用氧气来进行热氧化处理。6.根据权利要求1所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述氧化处理是使用水来进行热氧化处理。7.根据权利要求1所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述氧化处理是使用氧化亚氮来进行热氧化处理。8.根据权利要求1所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述氧化处理是使用氧化氮来进行热氧化处理。9.根据权利要求1所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述氧化处理是使用氧化氘来进行热氧化处理。10.根据权利要求1所述的一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，所述氧化处理是使用臭氧紫外光...
【专利技术属性】
技术研发人员：许允埈，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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