非临界层的临界尺寸的覆盖标记制造技术

一种非临界层的临界尺寸的覆盖标记，用于监测非临界层的临界尺寸，其特征在于，其包含：　　　　四条彼此分离的第一条状物，该四条第一条状物定义一矩形，其中每一该第一条状物对应并平行该矩形的每一边长；及　　　　四条彼此分离的第二条状物，该四条第二条状物位于该矩形中，其中每一该第二条状物对应并平行每一该边长且由多条彼此平行的第三条状物所组成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种覆盖标记(overlay mark)，尤其涉及一种用于监测非临界层(non-critical layer)的临界尺寸(critical dimension)的覆盖标记。
技术介绍
随着半导体尺寸的缩小，并提高集成度，其所伴随的是制程的复杂化与困难度的提高。为了减少制程中报废的产品，半导体制造厂商无不费心地寻求各种实时监控、测量的方法，以在发生问题的时候，能够实时发现并解决问题。以微影(photolithography)制程来说，调校准确性(alignment accuracy)是决定制程成功的重要因素之一，一般是通过一特定晶圆上形成的一覆盖标记，在特定的时间监测调校的准确性。传统覆盖标记包含四条内条状物(inner bar)与四条外条状物(outer bar)围成两个具有同一几何中心的矩形，其中外条状物表示先前结构层(fore-layer)的位置，内条状物表示微影步骤后、在光阻层上的图案。换句话说，内条状物的位置是基于外条状物而定的。在监测调校的准确性期间，利用一扫描光束，扫描两条外条状物及两条内条状物。当偏差值超出制程所设定的范围过大时，则必须移除产品晶圆上已本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非临界层的临界尺寸的覆盖标记，用于监测非临界层的临界尺寸，其特征在于，其包含四条彼此分离的第一条状物，该四条第一条状物定义一矩形，其中每一该第一条状物对应并平行该矩形的每一边长；及四条彼此分离的第二条状物，该四条第二条状物位于该矩形中，其中每一该第二条状物对应并平行每一该边长且由多条彼此平行的第三条状物所组成。2.根据权利要求1所述的非临界层的临界尺寸的覆盖标记，其特征在于，其中每一该第三条状物垂直该对应的边长。3.根据权利要求1所述的非临界层的临界尺寸的覆盖标记，其特征在于，其中每一该第三条状物彼此分离。4.根据权利要求1所述的非临界层的临界尺寸的覆盖标记，其特征在于，其中每一该第二条状...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅国贵，周孟兴，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：