形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法技术

一种形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　在一半导体基底上形成一图案化氧化层，并在其上形成一多晶硅层及一氧化层；　　　　进行一突破步骤，其利用氧化物对多晶硅的高选择比，以去除部份该氧化层；　　　　进行一主蚀刻步骤，蚀刻该多晶硅层与少部份该氧化层，直至该多晶硅层在该半导体基底上成为一薄膜为止，且位于角落凸出的该氧化层成为一尖角（ｆｅｎｃｅ）结构；　　　　进行一氧化物蚀刻步骤，其对该氧化层的尖角结构进行等向蚀刻，以移除凸出该多晶硅层外的该尖角结构，并使该多晶硅层角落圆弧化；以及　　　　进行一过度蚀刻步骤，其蚀刻去除该图案化氧化层上多余的该多晶硅层，使剩余的该多晶硅层分别在该图案化氧化层二侧形成方形轮廓的字符线间隙壁。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在半导体制程中制作侧壁间隙壁(sidewall spacer)的方法，尤其涉及一种可。
技术介绍
目前，随着半导体集成电路的持续发展，在进入超大规模集成电路的制程后，为了使集成电路的设计可符合高集成度的要求，芯片中所含有的元件数量不断增加，元件的尺寸也因集成度的提升而不断地缩小。然而无论元件尺寸如何缩小化，在芯片各个元件之间仍必须有适当地绝缘或隔离，方可得到良好的元件特性。此项技术为元件隔离技术，其主要是在各元件间形成隔离物，并在确保良好隔离效果的情况下，尽量缩小隔离物的区域，以容纳更多的元件。除了隔离元件的浅沟槽隔离(STI)结构之外，最常见的是间隙壁，其是一种由绝缘材料形成在栅极(字符线)周围的基底上，用来避免栅极与源极/漏极导通而造成漏电流的绝缘元件，间隙壁的高度与栅极的高度相同为一种较佳的设计，可有效避免栅极与源极/漏极相导通。间隙壁除了作为隔离元件使用之外，还可作为字符线的多晶硅间隙壁，现有技术的利用蚀刻多晶硅层以制作多晶硅间隙壁的步骤，如图1所示，其是在已定义出半导体基底10的主动区域后，依次形成一图案化氧化层12、一多晶硅层14及一氧化层16；再通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其特征在于，包括下列步骤在一半导体基底上形成一图案化氧化层，并在其上形成一多晶硅层及一氧化层；进行一突破步骤，其利用氧化物对多晶硅的高选择比，以去除部份该氧化层；进行一主蚀刻步骤，蚀刻该多晶硅层与少部份该氧化层，直至该多晶硅层在该半导体基底上成为一薄膜为止，且位于角落凸出的该氧化层成为一尖角(fence)结构；进行一氧化物蚀刻步骤，其对该氧化层的尖角结构进行等向蚀刻，以移除凸出该多晶硅层外的该尖角结构，并使该多晶硅层角落圆弧化；以及进行一过度蚀刻步骤，其蚀刻去除该图案化氧化层上多余的该多晶硅层，使剩余的该多晶硅层分别在该图案化氧化层二侧形成方形轮廓的字符线间隙壁。2.根据权利要求1所述的形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其特征在于，在该突破步骤中，是利用高离子轰击来移除部份该氧化层。3.根据权利要求1所述的形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其特征在于，其中该多晶硅层为利用化学气相沉积方法完成的。4.根据权利要求1所述的形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其特征在于，其中该氧化层是利用化学气相沉积方法及热氧化方法的其中之一所形成的。5.根据权利要求1所述的形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张双燻，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：