温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　在一半导体基底上形成一图案化氧化层，并在其上形成一多晶硅层及一氧化层；　　　　进行一突破步骤，其利用氧化物对多晶硅的高选择比，以去除部份该氧化层；　　　　进行一...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。