【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于制造接触窗结构的制程，尤其涉及一种在半导体组件中用于制造自行对准接触窗结构的制作方法。
技术介绍
在多层集成电路的制程中，常会在半导体基底上的覆盖层蚀刻一垂直凹孔，以便在该基底上形成有导电接触；此形成过程通常需要通过蚀刻数层不同覆盖材质来形成，且为了确认导电接触仅会与半导体基底相导通，所以其它结构，例如晶体管栅极结构，是利用绝缘侧壁及覆盖层来隔绝的。然而，这种绝缘结构的设计无法使用在具有多层金属内联机结构的高集成度的半导体组件的微影制程中；为了克服此微影制程的限制，遂发展出一种自行对准接触结构。在形成自行对准接触的过程中，绝缘侧壁与覆盖层在蚀刻制程中提供一定程度上的校正或自行对准。在位线电容增加的情形下，晶体管栅极的双侧壁结构使用绝缘侧壁或覆盖层环设于自行对准接触结构周围；此双侧壁结构通常由氧化物间隙壁及其外的氮化物组成，以提供具有较低寄生电容的自行对准接触结构。然而，在双侧壁结构的形成过程中仍无可避免的会造成额外的耗损；另一方面，在制作自行对准接触结构的制程中，低寄生电容的需求与易于形成接触栓塞的方法亦变得愈来愈重要。
技术实现思路
本专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，包括下列步骤提供一半导体基底，其上形成至少二导电结构，该导电结构位于将形成自行对准接触窗的位置二侧，并有多个光刻结构分别位于该导电结构上，且每一光刻结构各具有一顶面及一垂直面；形成一介电层覆盖于该半导体基底上；蚀刻去除部份该介电层，以露出该光刻结构的顶面与部份该垂直面；以及形成多个间隙壁，每一该间隙壁沉积于每一露出的该垂直表面上。2.根据权利要求1所述的用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，还包括在该介电层、该多个间隙壁及该光刻结构露出的该多个顶面形成一内层介电层；以及移除位于该二导电结构之间的部份该内层介电层与该介电层，以作为后续制作该自行对准接触窗结构。3.根据权利要求1所述的用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，其中在该蚀刻步骤是利用湿式回蚀刻方法完成的。4.根据权利要求1所述的用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，其中该介电层包含一利用化学气相沉积法形成的氧化物层。5.根据权利要求1所述的用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，其中该间隙壁是由氮化物材质构成的。6.根据权利要求1所述的用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，其中该半导体基底与该导电结构之间还包括一氧化层。7.一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其在多...
【专利技术属性】
技术研发人员：许允埈，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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