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一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，其上形成至少二导电结构，该导电结构位于将形成自行对准接触窗的位置二侧，并有多个光刻结构分别位于该导电结构上，且每一光刻结构各具有一顶面及一垂直面；　　...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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