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一种自行对准接触窗结构的制造方法，其特征在于，包括：　　　　提供一个半导体基底，其上依序形成至少两个栅极堆栈结构及覆盖于其上的一个介电层，其中该栅极堆栈结构具有一个氮化层表面；　　　　去除部分该介电层以暴露出部分该半导体基底与该氮化层表面；...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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