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一种形成凹槽栅极结构的方法，其特征在于，包括：　　　　提供一个半导体基底，其上形成一个第一氧化层；　　　　在所述第一氧化层上形成一第一导电层；　　　　去除部分所述第一氧化层与所述第一导电层，以形成若干个第一栅极结构；　　　　在所述若干第一栅...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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