半导体装置的具有低介电常数的绝缘层的淀积方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过ＣＶＤ或ＰＥＣＶＤ法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地涉及一种通过在用于形成半导体装置保护层的CVD或PECVD过程中加入硅烷气体(SiH4)可显著地提高低介电绝缘层的汽相淀积速度的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法。
技术介绍
薄膜晶体管基片在液晶显示器、有机EL(电致发光)显示器等作为独立驱动每个像素的电路基片使用。薄膜晶体管基片包括用于传送扫描信号的扫描信号布线和用于传送图像信号的图像信号线或数据布线、与栅极布线及数据布线连接的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极、遮盖栅极布线以绝缘该栅极布线的栅极绝缘层、以及遮盖数据布线以绝缘该数据布线的保护层。薄膜晶体管包括与栅极布线一部分的栅极一起形成通道的半导体层、数据布线一部分的源极和漏极、栅极绝缘层、和保护层。薄膜晶体管是一种传输或截止图像信号的开关装置，根据由栅极布线传输的扫描信号通过数据布线将该图像信号传输到像素电极。在液晶显示器中薄膜晶体管基片是最常用的。随着液晶显示器逐渐大型化、高精细化，应要尽快解决寄生电容增加引起的信号扭曲问题。而且，为了减少个人计算机的功率消耗和增加TV中液晶显示器的有效视听距离，需要提高亮度，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种汽相淀积用于半导体装置的低介电绝缘层的方法，包括通过将包括气相主源、硅烷（ＳｉＨ↓［４］）、和氧化剂的反应气体混合物提供给包括基片的汽相淀积室用ＣＶＤ法或ＰＥＣＶＤ法汽相淀积ａ－ＳｉＣＯＨ薄膜的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2002-5-17 2002-00274131.一种汽相淀积用于半导体装置的低介电绝缘层的方法，包括通过将包括气相主源、硅烷(SiH4)、和氧化剂的反应气体混合物提供给包括基片的汽相淀积室用CVD法或PECVD法汽相淀积a-SiCOH薄膜的工序。2.根据权利要求1所述的汽相淀积低介电绝缘层的方法，其中所述a-SiCOH薄膜具有3.6以下的介电常数，并且在400-800nm的波长范围内具有95％以上的光透射比。3.根据权利要求1所述的汽相淀积低介电绝缘层的方法，其中所述基片选自由液晶显示器、发光二极管显示器、和有机发光二极管显示器组成的组。4.根据权利要求1所述的汽相淀积低介电绝缘层的方法，其中所述a-SiCOH薄膜被用在用于液晶显示器的绝缘层。5.根据权利要求1所述的汽相淀积低介电绝缘层的方法，其中硅烷(SiH4)气体与主源气体的比率是1∶0.5-1。6.根据权利要求1所述的汽相淀积低介电绝缘层的方法，其中所述主源气体选自由用以下化学式1、化学式2、和化学式3表示的有机硅化合物组成的组中一种或多种[化学式1]SiHx(CH3)4-x其中，x为整数，即0、1、2、或4；[化学式2]Si(OR1)xR24-x其...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁成勋，格伦塞尔尼A，丁奎夏，黄秉槿，洪完植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，陶氏康宁公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]