【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于通过一边加热晶片一边在高温状态下供给原料气体来在晶片的表面上气相生长出化合物半导体等的薄膜的气相生长装置，特别是涉及用于配置晶片的晶片收纳体的材质的特性。
技术介绍
现在，气相生长法在产业界的各种领域得到利用。在气相生长中，使在晶片上生长的薄膜的膜厚、组成以及掺杂浓度在面内全区域的高度均匀化，这很显然是必须的项目。这样，作为面内全区域的均匀化的实现方法，晶片加热的均热化就成了最重要的关键技术。图1是表示一般的气相生长装置的构成例的剖视图。如图1所示，气相生长装置100包括反应炉1、配置晶片2的晶片保持器3、载置晶片保持器3的衬托器4、设置在衬托器4的下侧的加热器5、旋转自如地支承晶片保持器3以及衬托器4的旋转机构6、供给原料气体和载气的气体导入管7、排出未反应气体的气体排气管8等。图9是表示晶片保持器3的详细构成的放大图，(a)为俯视图，(b)为A-A线剖视图。晶片保持器3构成为，在其一个面上，在同一圆周上形成有多个(图9中为6个)用于配置晶片2的圆形凹坑3a，在相反面上则与衬托器4接触。这里，晶片保持器3可以由单一或者多个部件构成，但通常如...
【技术保护点】
一种气相生长装置，至少备有：可密闭的反应炉、设置在该反应炉内并用于将晶片配置在规定位置上的晶片收纳体、用于向晶片供给原料气体的气体供给机构、用于加热前述晶片的加热机构，在前述反应炉内，通过利用前述加热机构经由前述晶片收纳体加热晶片、并且在高温状态下供给原料气体，在前述晶片的表面上形成生长膜，其特征在于，前述晶片收纳体包括：形成有用于收纳前述晶片的空部的热流控制部、与该热流控制部接合并用于将热量传递到收纳在前述空部中的晶片的热流传导部；在前述热流控制部和前述热流传导部邻接的平面以及曲面间存在均匀的热阻Ｒ↓［ｇ］。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-6-13 172407/2002;JP 2002-8-19 238207/20021.一种气相生长装置，至少备有可密闭的反应炉、设置在该反应炉内并用于将晶片配置在规定位置上的晶片收纳体、用于向晶片供给原料气体的气体供给机构、用于加热前述晶片的加热机构，在前述反应炉内，通过利用前述加热机构经由前述晶片收纳体加热晶片、并且在高温状态下供给原料气体，在前述晶片的表面上形成生长膜，其特征在于，前述晶片收纳体包括形成有用于收纳前述晶片的空部的热流控制部、与该热流控制部接合并用于将热量传递到收纳在前述空部中的晶片的热流传导部；在前述热流控制部和前述热流传导部邻接的平面以及曲面间存在均匀的热阻Rg。2.如权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，从前述热流传导部的内面朝向前述晶片的表面的热传递路径的热阻R1与从前述热流传导部的内面朝向前述热流控制部的表面的热传递路径的热阻R2之比R2/R1为0.8以上、1.2以下。3.如权利要求1或2所述的气相生长装置，其特征在于，前述热阻Rg为1.0×10-6m2K/W以上、5.0×10-3m2K/W以下...
【专利技术属性】
技术研发人员：清水英一，牧野修仁，
申请(专利权)人：日矿金属株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。