可热固化、高介电常数的绝缘层材料及用于制备有机薄膜晶体管栅绝缘层制造技术

本发明专利技术属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种可热固化、高介电常数的聚合物绝缘层材料及该聚合物绝缘层材料固化后在制备有机薄膜晶体管栅绝缘层中的应用。本发明专利技术所述的可热固化的聚合物绝缘层材料为三种单体的无规共聚物，其中B单体含有热固化基团，其结构式如下所示，m为1～20的整数，n为1～10的整数；p为1～10的整数。该聚合物绝缘层材料涂膜后能热固化，固化后的膜层具有较高的介电常数及热稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机薄膜晶体管
，具体涉及一种可热固化、高介电常数的聚合物绝缘层材料及该聚合物绝缘层材料固化后在制备有机薄膜晶体管栅绝缘层中的应用。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OTFT)是一种基本的逻辑单元器件，器件主要有栅极、源极、漏极、有源层和绝缘层等五部分组成。OTFT具有适合大面积加工、加工成本低、适用于柔性显示等优点。因此，OTFT的研究与开发在国内外受到广泛的关注。目前，无论是在有机半导体方面还是有机绝缘层方面，OTFT都取得了巨大的发展，器件的综合性能已经达到了商用的非晶硅水平。随着对器件要求的不断提高，器件用的材料和加工稳定性受到了广泛的关注。与此关系密切的是有机半导体薄膜、有机绝缘层薄膜和他们之间的界面性质。绝缘层表面的性质直接影响到半导体薄膜的形态结构和器件的迁移率，绝缘层介电常数的大小直接关系到器件阀值电压的高低。所以，绝缘层在OTFT器件中有着重要的影响。对OTFT绝缘层材料有如下的要求:介电常数高、热力学和化学性质稳定、绝缘层表面的陷阱密度低、与有机半导体薄膜的相容性好等。目前，用于OTFT绝缘层的材料主要是无机材料，如:Si02、SiNx、TiO2, ZrO2等，它们具有高介电常数、化学性质稳定、不容易被击穿等优点，然而制备无机材料所使用的固相高温沉积这一加工工艺不符合OTFT柔性加工的特点，从而限制了无机绝缘层材料在OTFT柔性显示中的应用。有机聚合物绝缘层材料具有以下优点:加工工艺简单、表面粗糙度低、能与有机半导体和柔性基地很好地相容、能用于低温和溶液加工等，这使得有机聚合物绝缘层越来越受到重视。目前，应用于OTFT的有机聚合物绝缘层材料主要有一下几类:PMMA、PVA、P1、PU、PS、苯并环丁烯、硅基半倍氧硅树脂等。
技术实现思路
与可光固化的绝缘层相比，本专利技术的目的是提供一系列合成方法简单、制作工艺简便的能用于制作OTFT栅绝缘层的可热固化的聚合物绝缘层材料，该聚合物绝缘层材料涂膜后能热固化，固化后的膜层具有较高的介电常数及热稳定性。本专利技术所述的可热固化的聚合物绝缘层材料为三种单体的无规共聚物，其中B单体含有热固化基团，其结构式如下所示:本文档来自技高网...

【技术保护点】
可热固化的聚合物绝缘层材料，其结构式如下所示：其中，m为1～20的整数，n为1～10的整数；p为1～10的整数。A的结构式如下：B的结构式为：C的结构式为：FDA00002617278900011.jpg,FDA00002617278900012.jpg,FDA00002617278900013.jpg,FDA00002617278900021.jpg,FDA00002617278900031.jpg

【技术特征摘要】
1.可热固化的聚合物绝缘层材料，其结构式如下所示:2.如权利要求1所述的可热固化的聚合物绝缘层材料，其特征在于:数均分子量Mn为5000 300000。3.权利要求1或2所述的可热固化的聚合物绝缘层材料在制备有机薄膜晶体管栅绝缘层方面的应用。4.如权利要求3所述的可热固化的聚合物绝缘层材料在制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔占臣，张春裕，李尧，史作森，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：