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本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过ＣＶＤ或ＰＥＣＶＤ法汽相淀积绝缘层以形成用于半导...
该专利属于三星电子株式会社;陶氏康宁公司所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;陶氏康宁公司授权不得商用。

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