本发明专利技术公开一种半导体载板及其制造方法与半导体封装组件，其在一金属板上的图案化通槽或凹槽内填充绝缘材料或不同导电性的材料，以便将此金属板隔绝为复数导电区域或特殊电性区域，提供作为金属载板之用；并利用此半导体金属载板进行封装而完成不同型态的封装组件。本发明专利技术以金属载板作为半导体载板的设计，结合公知导线架与印刷电路板的技术与优点，因此同时兼具有散热效果佳且具有高引脚数变化性多的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种半导体封装技术，特别是关于一种金属载板与其制造方法，以及应用于具有金属载板的半导体封装组件的相关技术。
技术介绍
按，电子封装的目的主要可作为传递电路讯号、传递电能、提供散热途径以及结构保护与支持等作用。在进行半导体后段的封装工艺中，导线架(Lead frame)及半导体载板(IC substrate)是作为集成电路芯片与外部电路连接的桥梁，以用来传输芯片内部电子讯号至外部系统板。传统利用金属导线架进行芯片安装与打线的封装工艺虽具有价格低廉及散热果良好的优点；然而，随着芯片的电路功能不断地提升，使得集成电路发展走向高度集积化，并导致芯片的输入输出接点也大幅增加，公知利用导线架承载芯片的方式最多仅能利用四边做引脚，使其会受限于其引脚数而无法提供足够引脚；且导线架只能进行相连且单纯的线路。遂有另一种可提供足够引脚数的BGA封装结构被提出来，其利用一印刷电路板(PCB)作为承载芯片的载板，并辅以其底部呈数组式排列的锡球来代替传统以金属导线架在周围做引脚的方式，此种封装技术的好处在于相同尺寸面积下，引脚数可以变多，其封装尺寸缩小许多。然因制作体积小、速度快及高密度的半导体封装组件已为趋势，再加上封装组件的消耗功率愈来愈大的结果，导致封装组件的散热问题日趋重要。BGA封装增加散热的解决方式是在前述印刷电路板上再设置一散热片，使散热片覆盖印刷电路板表面的芯片，以此增强散热效果，但此种散热效果仍然有限，不如传统导线架的散热效果。有鉴于此，本专利技术系在结合金属导线架与印刷电路板的优点，提出一种半导体载板及其制造方法与半导体封装组件，以改善前述的该等缺失。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体载板。本专利技术的另一目的在于提供一种具有金属载板的制造方法。本专利技术的又一目的在于提供一种半导体封装组件为实现上述目的，本专利技术提供的半导体载板，其结构包括一金属板，其上形成有一贯穿的图案化通槽设计；及一填充材料，其填充于该金属板的图案化通槽中，用以将该金属板该金属板分隔为复数区域。所述的半导体载板，其中该填充材料为一绝缘材料，将该金属板隔绝为复数导电区域。所述的半导体载板，其中该填充材料为一导电性材料，填充于该金属板特定的图案化通槽中，用以将该区域形成特殊电性区域。所述的半导体载板，其中在该金属板的复数区域表面还经过一表面处理，以形成一导电层。所述的半导体载板，其中该导电层选自无电镀锡、电镀锡、无电镀银、电镀镍金及无电镀镍浸金的金属表面处理。所述的半导体载板，其中该金属板的图案化通槽设计经过娄次选择性蚀刻方式所制作完成。所述的半导体载板，其中该金属板的图案化通槽设计经过数次深控成型方式所制作完成。所述的半导体载板，其中在该金属板上的芯片安装预定位置还设有一容置槽，以供安装一芯片。所述的半导体载板，其中在该金属板表面或位于该填充材料上方还形成有一防焊罩幕层。所述的半导体载板，其中该填充材料为树脂、银胶、铜胶、碳墨阻隔或改变电性的材料。本专利技术提供的半导体载板的制造方法，包括下列步骤提供一金属板，其上下表面分别形成一第一图案化薄膜与一第一薄膜；以该第一图案化薄膜为罩幕，对该金属板进行半蚀刻，以形成复数个上凹槽，而后移除该第一图案化薄膜与该第一薄膜；于该些上凹槽内填塞填充物；在该金属板的上下表面分别形成一第二薄膜及一与该第一图案化薄膜相对应的第二图案化薄膜；及以该第二图案化薄膜为罩幕，对该金属板进行半蚀刻，以形成复数个下凹槽，使其配合该等上凹槽而形成复数通槽，用以将该金属板隔绝为复数导电区域，之后移除该第二图案化薄膜与该第二薄膜。所述的半导体载板的制造方法，其中在移除该第二图案化薄膜与第二薄膜的步骤后，还包括一在该金属板的该些下凹槽内填塞填充物。所述的半导体载板的制造方法，其中在该金属板的复数导电区域表面还经过一表面处理步骤，以形成一导电层。所述的半导体载板的制造方法，其中该导电层选自无电镀锡、电镀锡、无电镀银、电镀镍金及无电镀镍浸金的金属表面处理。所述的半导体载板的制造方法，其中形成该金属板的上、下凹槽经过数次选择性蚀刻方式所制作完成。所述的半导体载板的制造方法，其中形成该金属板的上、下凹槽经过数次深控成型方式所制作完成。所述的半导体载板的制造方法，其中该填塞的填充物材质选自树脂、银胶、铜胶、碳墨阻隔及改变电性的材料。本专利技术提供的半导体封装组件，包括一金属板，其上形成有一贯穿的图案化通槽设计；一填充物，其填充于该金属板的图案化通槽中，用以将该金属板隔绝为一芯片预定区域与复数导电区域；及一芯片，安装于该金属板上的芯片预定区域，并与该等导电区域形成电性连接。所述的半导体封装组件，其中在该金属板的复数导电区域表面还经过一表面处理，以形成一导电层。所述的半导体封装组件，其中该导电层选自无电镀锡、电镀锡、无电镀银、电镀镍金及无电镀镍浸金的金属表面处理。所述的半导体封装组件，其中还在该金属板上环设有一环壁，该环壁上设置一透明盖板或环壁内填充透明/不透明的树脂，以作为通讯组件的封装组件。所述的半导体封装组件，其中还包括一封装胶体包覆该芯片。所述的半导体封装组件，其中该金属板的图案化通槽经过数次选择性蚀刻方式所制作完成。所述的半导体封装组件，其中该金属板的图案化通槽经过数次深控成型方式所制作完成。所述的半导体封装组件，其中该填塞的材质选自树脂、银胶、铜胶、碳墨阻隔及改变电性的材料。所述的半导体封装组件，其中在该金属板上的芯片预定区域还设有一容置槽，以供容置安装该芯片。附图说明图1a至图1k分别为本专利技术在制作半导体载板与其封装组件的各步骤构造剖视图。图2为图1a的俯视图。图3为图1e的俯视图。图4a至图4f图分别为本专利技术另一实施例在制作半导体载板与其封装组件的各步骤构造剖视图。具体实施例方式以下由具体实施例配合附图作详加说明，以更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。本专利技术是利用选择性蚀刻或是深控成型技术制作出一作为半导体载板的金属载板，使其同时兼具有热效果佳且可适用于高引脚数的半导体封装，以取代现有的导线架及印刷电路板，并可利用此金属载板制作做出半导体封装组件。下面是由二不同的实施例来说明本专利技术的半导体载板结构与制造方法，以及利用此载板所制作完成的半导体封装组件。图1a至图1g分别为本专利技术在制作半导体载板与其封装组件的各步骤构造剖视图。以蚀刻法为例首先，如图1a所示，进行光阻涂布经影像转移，使其在一金属板10的上、下表面分别形成有一图案化薄膜12与一薄膜14，且图案化薄膜12的图案请同时参考图2所示。再以图案化光阻12为罩幕(Mask)，利用一次或数次的选择性蚀刻方式，对金属板10进行半蚀刻，蚀刻去除裸露的部份金属板10，以形成如图1b所示的复数个已定义的上凹槽16；而后蚀刻剥除此一图案化薄膜12与薄膜14，即可得到如图1c所示具有已定义图案的上凹槽16的金属板10。接着进行填塞(plug)工艺，于上述的上凹槽16内填塞支撑物或填充物18，并经过一研磨步骤进行填充物18的平坦化，如图1d所示，使填充物18与金属板10表面齐平。其中，填充物18的材质为树脂、银胶、铜胶或其它材料。重复前述各步骤，以便在该金属板10下表面形成复数个下凹槽(因此工艺与前述步骤相同，故于此不再重复叙述)，使其配合上凹槽而形成复本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体载板，其结构包括：一金属板，其上形成有一贯穿的图案化通槽设计；及一填充材料，其填充于该金属板的图案化通槽中，用以将该金属板该金属板分隔为复数区域。
【技术特征摘要】
US 2004-10-26 10/972,3491.一种半导体载板，其结构包括一金属板，其上形成有一贯穿的图案化通槽设计；及一填充材料，其填充于该金属板的图案化通槽中，用以将该金属板该金属板分隔为复数区域。2.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中该填充材料为一绝缘材料，将该金属板隔绝为复数导电区域。3.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中该填充材料为一导电性材料，填充于该金属板特定的图案化通槽中，用以将该区域形成特殊电性区域。4.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中在该金属板的复数区域表面还经过一表面处理，以形成一导电层。5.如权利要求4所述的半导体载板，其特征在于，其中该导电层选自无电镀锡、电镀锡、无电镀银、电镀镍金及无电镀镍浸金的金属表面处理。6.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中该金属板的图案化通槽设计经过娄次选择性蚀刻方式所制作完成。7.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中该金属板的图案化通槽设计经过数次深控成型方式所制作完成。8.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中在该金属板上的芯片安装预定位置还设有一容置槽，以供安装一芯片。9.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中在该金属板表面或位于该填充材料上方还形成有一防焊罩幕层。10.如权利要求1所述的半导体载板，其特征在于，其中该填充材料为树脂、银胶、铜胶、碳墨阻隔或改变电性的材料。11.一种半导体载板的制造方法，包括下列步骤提供一金属板，其上下表面分别形成一第一图案化薄膜与一第一薄膜；以该第一图案化薄膜为罩幕，对该金属板进行半蚀刻，以形成复数个上凹槽，而后移除该第一图案化薄膜与该第一薄膜；于该些上凹槽内填塞填充物；在该金属板的上下表面分别形成一第二薄膜及一与该第一图案化薄膜相对应的第二图案化薄膜；及以该第二图案化薄膜为罩幕，对该金属板进行半蚀刻，以形成复数个下凹槽，使其配合该等上凹槽而形成复数通槽，用以将该金属板隔绝为复数导电区域，之后移除该第二图案化薄膜与该第二薄膜。12.如权利要求11所述的半导体载板的制造方法，其特征在于，其中在移除该第二图案化薄膜与第二薄膜的步骤后，还包括一...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪信国，
申请(专利权)人：洪信国，先丰通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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