光敏电阻及其制备方法技术

本发明专利技术为光敏电阻技术领域提供一种新型光敏电阻及其制备方法，其主要特征是具有Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基座和Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基片，在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基片上喷涂有ＣｄＳ和ＣｄＳｅ，形成光敏膜层，制成光敏电阻芯片；在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基座上设有空槽，光敏电阻芯片镶嵌在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基座上的空槽内，真空镀膜形成电极，用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。由于本发明专利技术采取了上述技术方案，通过本发明专利技术制备的光敏电阻不仅大量节约原材料ＣｄＳ和ＣｄＳｅ，降低产品成本，而且方法简单，可操作性强，新制成的产品具有稳定性好，一致性好，环保可靠等特点，完全符合欧盟ＲＯＨＳ标准对产品中Ｃｄ含量的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光敏电阻
，具体涉及一种。
技术介绍
光敏电阻的传统制造方法是以陶瓷为基板，将CdS和CdSe混合液喷涂在陶瓷基板上，存在的缺陷是在喷涂的过程中，不仅在基板的表面喷上CdS和CdSe，基板的四周也被喷上了大量的CdS和CdSe，且正面被喷上的CdS和CdSe大部分也是无用的，真正有用的不到正面的20％，其余80％以上全部是无用的，这不但浪费原材料，增加产品成本，更重要的是大大的增加了Cd在产品中的含量。随着全世界环保的加强，欧盟从2006年7月1日起，严格限制产品中Cd的含量。传统的制造方法制造的光敏电阻产品已根本无法达到此标准，产品中Cd的含量远大于欧盟的RoHs标准要求，面临着限制进入和被淘汰的危胁，只有改变传统的制备方法制备新型光敏电阻才能降低Cd在产品中含量，满足欧盟的RoHs标准要求。
技术实现思路
专利技术人在生产实践中经过大量的试验和摸索，专利技术了新的制备方法，克服了传统制造方法的缺点，只对有用部分进行CdS和CdSe的涂附，而其它基体免受Cd污染，从而使Cd在产品中的含量大幅降低。本专利技术采取的技术方案其特征是具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片，在Al2O3陶瓷基片上喷涂有CdS和CdSe，形成光敏膜层，制成光敏电阻芯片；在Al2O3陶瓷基座上设有空槽，光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内，在整体的正面用真空镀膜的方法蒸镀Sn形成电极，用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接，制成一个光敏电阻整体。为了能够制备出上述产品，本专利技术采取的方法如下1、用纯度95％以上的Al2O3制做一个长方体或其它形状的陶瓷基片，用Al2O3制做一个比陶瓷基片大的陶瓷基座，陶瓷基座的上面留一个和陶瓷基片同形状，尺寸稍大的空槽；2、根据制造产品参数的不同，将CdS和CdSe按重量比90∶10---60∶40制定混合溶液；将CdS和CdSe混合液涂附在Al2O3陶瓷基片表面；将涂附后的基片放入温度为400-800℃烧结炉内，进行高温烧结，在Al2O3陶瓷基片表面形成光敏膜层，制成光敏电阻芯片；3、将光敏电阻芯片装入陶瓷基座的空槽内，用树脂胶粘结固定，用真空镀膜的方法在光敏膜层表面蒸镀Sn，形成电极；将两根镀锡铜线装入陶瓷基座的两个孔内，并进行铆接；4、在芯片和基座的电极之间空隙涂导电银浆，使芯片和基座及引线连接；5、用环氧树脂胶对产品进行防湿保护封装。由于本专利技术采取了上述技术方案，将CdS和CdSe涂附在陶瓷基片上，经高温烧结后，制成一个小的光敏电阻芯片，再将这个芯片嵌入陶瓷基座内，真空镀膜形成电极，芯片电极和基座之间的空隙用导电银浆进行连接。通过本专利技术制备的光敏电阻不仅大量节约原材料CdS和CdSe，降低产品成本，而且方法简单，可操作性强，新制成的产品具有稳定性高，一致性好，环保可靠等特点，完全符合欧盟ROHS标准对产品中Cd含量的要求。附图说明下面结合附图及实例，对本专利技术做进一步说明。图1是本专利技术的结构剖视图；图2是本专利技术的工艺流程图；附图中，1、陶瓷基座，2、陶瓷基片，3、树脂封装胶，4、Sn膜，5、导电银浆，6、光敏膜层。具体实施例方式本专利技术具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片，在Al2O3陶瓷基片上涂附CdS和CdSe，形成光敏膜层制成光敏电阻芯片；在Al2O3陶瓷基座上设有空槽，光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内，真空镀膜Sn形成电极，用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。为了能够制备出上述产品，本专利技术采取的方法如下 1、用纯度95％以上的Al2O3制做一个长方体或其它形状的陶瓷基片，用Al2O3制做一个比瓷片大的陶瓷基座，陶瓷基座的上面留一个和陶瓷基片同形状，尺寸稍大0.02-0.1mm的空槽；2、根据制造产品参数的不同，将CdS和CdSe按重量比90∶10---60∶40制成混合溶液；将CdS和CdSe混合液涂附在Al2O3陶瓷基片表面；将喷涂后的基片放入温度为400—300℃烧结炉内，进行高温烧结，在Al2O3陶瓷基片表面形成光敏膜层，制成光敏电阻芯片；3、将光敏电阻芯片镶嵌在陶瓷基座的空槽内，用树脂胶粘结固定，用真空镀膜的方法在光敏膜层表面蒸镀Sn形成电极；将两根镀锡铜线装入陶瓷基座的两个空内，并进行铆接；4、在芯片和基座的电极之间空隙涂导电银浆，使芯片和基座及引线连接；5、用环氧树脂胶对产品进行防湿保护封装。本文档来自技高网...

【技术保护点】
新型光敏电阻，其特征在于具有Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基座和Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基片，在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基片上涂附有ＣｄＳ和ＣｄＳｅ混合物，高温烧结形成光敏膜层，制成光敏电阻芯片；在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基座上设有空槽，光敏电阻芯片镶嵌在Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］陶瓷基座上的空槽内，真空镀膜Ｓｎ形成电极，用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。

【技术特征摘要】
1.新型光敏电阻，其特征在于具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片，在Al2O3陶瓷基片上涂附有CdS和CdSe混合物，高温烧结形成光敏膜层，制成光敏电阻芯片；在Al2O3陶瓷基座上设有空槽，光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内，真空镀膜Sn形成电极，用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。2.根据权利要求1所述的新型光敏电阻的制备方法，该制备方法如下a、用纯度95％以上的Al2O3制做一个长方体或其它形状的陶瓷基片，用Al2O3制做一个比陶瓷基片大的陶瓷基座，陶瓷基座的上面留一个和陶瓷基片形状相同，尺寸稍大的空...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁镇赓，邢志平，
申请(专利权)人：南阳利达光电有限公司电子公司，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]