制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法技术

技术编号:15510455 阅读:172 留言:0更新日期:2017-06-04 03:54
本发明专利技术公开了制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法,通过向现有的对可见光敏感的光敏材料CdSe、CdCl

Photosensitive material for preparing wide band photosensitive resistor and method for preparing the photosensitive resistor

The invention discloses a photosensitive material for preparing a wide band photosensitive resistor and a preparation method of the photosensitive resistor, wherein the photosensitive material CdSe and CdCl are sensitive to the existing visible light sensitive materials

【技术实现步骤摘要】
制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法
本专利技术涉及光敏电阻
,具体地,涉及制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法。
技术介绍
光电探测器中经常使用光谱响应范围宽的光敏电阻,具有广泛的应用范围,如红外热成像及红外遥感等。目前,光敏电阻通常由附在陶瓷基体表面的红外光光敏材料层电联两个电极引线组成,光敏电阻材料对光敏电阻的光谱响应起决定性作用。现有,光敏电阻材料多使用CdS、CdSe和CdCl2混合配置,并添加CuCl2提高其灵敏性。但是,现有光敏电阻材料主要存在的问题之一是:光谱响应谱带窄,对近红外光不敏感。因此需要提供一种能够把光谱响应谱带扩展到近红外光光谱的宽光谱光敏电阻及其制备方法,以满足光电探测器对光敏电阻光谱响应范围宽的要求。经文献检索,未发现与本专利技术技术方案相同的宽谱带光敏电阻及其制备方法的有关公开报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,针对上述问题,提出制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法,以克服现有光敏电阻材料主要存在的问题:光谱响应谱带窄,对近红外光不敏感。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法,所述光敏材料由红外光光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成,所述红外光光敏溶液包括混合物和离子水,所述混合物由以下重量百分比的各组分组成:CdTe35%-55%,CdSe25%-45%,CdCl29%-29%,余量为CuCl2;将混合物溶解在离子水中得到红外光光敏溶液,所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物20%-40%,离子水60%-80%。进一步地,所述混合物各组分的重量百分比CdTe45%,CdSe35%,CdCl219%,CuCl21%;所述红外光光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物30%,离子水70%。宽谱带光敏电阻的制备方法,包括以下步骤:步骤1:制备陶瓷基体;步骤2:配置红外光光敏溶液;步骤3:将红外光光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面,形成红外光光敏材料层;步骤4:将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置10-30分钟后,放入900℃-1100℃恒温烘箱中烘烤10-30分钟;步骤5:将两个电极安装在步骤4形成的红外光光敏材料层两端,得到光敏电阻主体;步骤6:在光敏电阻主体表面喷涂隔离层,得到光敏电阻。进一步地,步骤2中,所述红外光光敏溶液,包括混合物和离子水,所述混合物由以下重量百分比的各组分组成:CdTe35%-55%,CdSe25%-45%,CdCl29%-29%,余量为CuCl2;将混合物溶解在离子水中得到红外光光敏溶液,所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物20%-40%,离子水60%-80%。进一步地,所述步骤4具体为,将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后,放入1000℃恒温烘箱中烘烤20分钟。进一步地,所述陶瓷基体由纯度为90%以上的三氧化二铝材料制成。进一步地,步骤3具体为,将步骤S2所得的红外光光敏溶液喷涂在陶瓷基体表面,喷涂5次,所述低成本宽谱带光敏材料层厚度为6微米。进一步地,步骤6具体为,利用环氧树脂在光敏电阻主体表面,形成隔离层,所述隔离层厚度为4微米。进一步地,所述混合物各组分的重量百分比CdTe45%,CdSe35%,CdCl219%,CuCl21%;所述红外光光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物30%,离子水70%。本专利技术各实施例的用于制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法,通过向现有的对可见光敏感的光敏材料CdSe、CdCl2和CuCl2混合物中掺杂CdTe量子点,利用CdTe量子点的量子限域效应产生红移特性,把光谱响应谱带扩展到近红外光光谱。所制备宽光谱光敏电阻对波长在450nm到900nm之间的光敏感,具有光谱响应谱带宽的优点。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。下面通过附图和实施例,对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1为本专利技术实施例所述的光敏电阻结构图。结合附图,本专利技术实施例中附图标记如下:1-陶瓷基体;2-光敏材料层;3-电极。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。结合图1的结构,具体地,制备宽谱带光敏电阻的光敏材料,所述光敏材料由红外光光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成,所述红外光光敏溶液包括混合物和离子水,所述混合物由以下重量百分比的各组分组成:CdTe35%-55%,CdSe25%-45%,CdCl29%-29%,余量为CuCl2;将混合物溶解在离子水中得到红外光光敏溶液,所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物20%-40%,离子水60%-80%。进一步地,所述混合物各组分的重量百分比CdTe45%,CdSe35%,CdCl219%,CuCl21%;所述红外光光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物30%,离子水70%。;所述方法包括以下操作步骤:S1,制备陶瓷基体;S2,配置红外光光敏溶液;S3,将红外光光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面,形成红外光光敏材料层;S4,将喷涂后的陶瓷基体静置20分钟后,放入1000℃恒温烘箱中烘烤20分钟;S5,将两个电极安装在形成红外光光敏材料层两端,得到光敏电阻主体。S6,在光敏电阻主体表面喷涂隔离层,得到光敏电阻。优选地,所述步骤S1具体为:用纯度为90%以上的三氧化二铝材料制备所需形状的陶瓷基体。优选地,所述步骤S2具体为:首先,按照以下配比配置红外光光敏溶液并将各原料混合均匀后得到红外光光敏材料层混合物:CdTe45%(重量百分比)CdSe35%(重量百分比)CdCl219%(重量百分比)CuCl21%(重量百分比)然后,将红外光光敏材料层混合物溶解在离子水中得到红外光光敏材料溶液,其中红外光光敏材料溶液中,红外光光敏材料层混合物的质量百分比为30%,离子水的质量百分比为70%。优选地,所述步骤S3具体为:将步骤S2所得的红外光光敏材料溶液喷涂在陶瓷基体表面,喷涂5次,所述红外光光敏材料层厚度为6微米。优选地,所述步骤S6具体为:将环氧树脂在步骤S2所得的光敏电阻主体表面,形成隔离层,所述隔离层厚度为4微米。在上述取值范围内取值时,利用上述给出的百分比制备的电阻灵敏度是最优的。而范围内的其他数值(包括端点值)的灵敏度仅次于上述公开的具体数值。实际应用表明:本专利技术提供的一种宽光谱光敏电阻及其制备方法,通过向现有的对可见光敏感的光敏材料CdSe、CdCl2和CuCl2混合物中掺杂CdTe量子点,利用CdTe量子点的量子限域效应产生红移特性,把光谱响应谱带扩展到近红外光光谱。所制备宽光谱光敏电阻对波长在450nm到900nm之间的光敏感,具有光谱响应谱带宽的优点。最后应说明的是:以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已,并不用于限制本专利技术,尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记本文档来自技高网...
制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法

【技术保护点】
制备宽谱带光敏电阻的光敏材料,其特征在于,所述光敏材料由红外光光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成,所述红外光光敏溶液包括混合物和离子水,所述混合物由以下重量百分比的各组分组成:CdTe 35%‑55%,CdSe 25%‑45%,CdCl

【技术特征摘要】
1.制备宽谱带光敏电阻的光敏材料,其特征在于,所述光敏材料由红外光光敏溶液喷涂在光敏电阻的陶瓷基体的表面形成,所述红外光光敏溶液包括混合物和离子水,所述混合物由以下重量百分比的各组分组成:CdTe35%-55%,CdSe25%-45%,CdCl29%-29%,余量为CuCl2;将混合物溶解在离子水中得到红外光光敏溶液,所述光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物20%-40%,离子水60%-80%。2.根据权利要求1所述的制备宽谱带光敏电阻的光敏材料,其特征在于,所述混合物各组分的重量百分比CdTe45%,CdSe35%,CdCl219%,CuCl21%;所述红外光光敏溶液中混合物与离子水的质量百分比为,混合物30%,离子水70%。3.宽谱带光敏电阻的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:制备陶瓷基体;步骤2:配置红外光光敏溶液;步骤3:将红外光光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面,形成红外光光敏材料层;步骤4:将步骤3喷涂后的陶瓷基体静置10-30分钟后,放入900℃-1100℃恒温烘箱中烘烤10-30分钟;步骤5:将两个电极安装在步骤4形成的红外光光敏材料层两端,得到光敏电阻主体;步骤6:在光敏电阻主体表面喷涂隔离层,得到光敏电阻。4.根据权利要求3所述的宽谱带光敏电阻的制备方法,其特征在于,步骤2中...

【专利技术属性】
技术研发人员:翟静崔少博侯书进栗方李春新高纪伟
申请(专利权)人:南阳师范学院
类型:发明
国别省市:河南,41

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